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논문 기본 정보

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저널정보
한국전기전자학회 전기전자학회논문지 전기전자학회논문지 제4권 제2호
발행연도
2000.12
수록면
181 - 191 (11page)

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본 논문에서는 증식형 MOS 트랜지스터와 저항만을 사용하여 기준전압을 발생하기 위한 두 가지 방법을 제안하였다. 첫 번째 방법은 문턱전압에 비례하는 전압성분과 열전압에 비례하는 전압성분을 합하여 온도보상을 하는 전압모드 방식이고, 두 번째는 문턱전압에 비례하는 전류성분과 열전압에 비례하는 전류성분을 합하여 온도보상을 하는 전류모드 방식이다. 설계된 회로들을 n-well CMOS 공정 페러미터를 사용하여 HSPICE 모의실험한 결과, 전압모드 회로의 경우 공급전압에 대한 변화율은 의 온도범위에서 0.21%/V 이하이고, 온도에 대한 변화율은 의 공급전압 범위에서 이하이다. 전류모드 회로의 경우는 공급전압에 대한 변화율이 의 온도범위에서 0.08%/V 이하이고, 온도에 대한 변화율은 의 공급전압 범위에서 이하이다. 또한 전력소모는 5V, 일 때 전압모드 경우와 전류모드 경우 각각 와 로 저전력 특성을 보인다. 제작된 전압모드 기준전압 발생회로를 측정한 결과, 공급전압에 대한 변화율은 의 온도범위에서 0.63%/V 이하이고, 온도에 대한 변화율은 의 공급전압 범위에서 보다 작다. 제안된 회로들은 구조가 간단하기 때문에 설계가 용이하고, 특히 전류모드의 경우 넓은 범위의 기준전압 발생이 가능하다는 장점을 갖는다.

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