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저자정보
김호권 (고려대학교) 한영선 (경일대학교) 김선욱 (고려대학교)
저널정보
대한전자공학회 대한전자공학회 학술대회 2016년도 대한전자공학회 하계종합학술대회
발행연도
2016.6
수록면
190 - 193 (4page)

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As process technology scales down to deep sub-micron, DRAM technology is facing critical scalability challenges due to precise charge placement and sensing hurdles in deep sub-micron processes. As a DRAM alternative, PCM (Phase Change Memory) has attractive points in aspect of cost and energy efficiency. However, limited write endurance is the major challenge for PCM main memory implementation. We propose K-Gap wear-leveling technique to prolong the lifetime of PCM as long as possible. Our proposed technique is designed to improve changing the position of Gap to instantly spread hot spots differently from the conventional Start-Gap scheme requires a lot of Gap movement for the spreading. Our experiments show that our proposed scheme extends PCM lifetime up to 1.2x against the Start-Gap wear-leveling technique.

목차

Abstract
I. 서론
II. K-Gap Wear-leveling 기법
III. 실험결과
IV. 결론 및 향후 계획
참고문헌

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