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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.16 No.1
- 발행연도
- 2016.2
- 수록면
- 106 - 111 (6page)
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Thermal noise generated in the electrolyte is modeled for the electrolyte-oxide-semiconductor field-effect transistors. Two noise sources contribute to output noise currents. One is the thermal noise generated in the bulk electrolyte region, and the other is the thermal noise from the double-layer region at the electrolyte-oxide interface. By employing two slightly-different equivalent circuits for two noise current sources, the power spectral density of output noise current is calculated. From the modeling and simulated results, the bulk electrolyte thermal noise dominates the double-layer thermal noise. Electrolyte thermal noise are computed for three different concentrations of NaCl electrolyte. The derived formulas give a good agreement with the published experimental data.
목차
Abstract
Ⅰ. INTRODUCTION
Ⅱ. MODELS
Ⅲ. SIMULATION RESULTS
Ⅳ. CONCLUSIONS
REFERENCES
참고문헌 (15)
참고문헌 신청
M. A. Alam, Principles of Electronic Nanobiosensors, www.nanohub.org, 2013.
P. Bergveld, “Thirty years of ISFETOLOGY: What happened in the past 30 years and what may happen in the next 30 years,” Sens. Actuators B, vol. 88, pp. 1-20, 2002.
X. P. A. Gao, G. Zheng, and C. M. Lieber, “Subthreshold regime has the optimal sensitivity for rnanowire FET biosensors,” Nano Lett., vol. 10, pp. 547-552, 2010.
J. M. Rothberg et al., “An integrated semiconductor device enabling non-optical genome sequencing,” Nature, vol. 475, pp. 348-352, 2011.
A. Hassibi, R. Navid, R. W. Dutton, and T. H. Lee, “Comprehensive study of noise processes in electrode electrolyte interfaces,” J. Appl. Phys., vol. 96, pp. 1074-1082, 2004.
P. Bergveld, “Thirty years of ISFETOLOGY: What happened in the past 30 years and what may happen in the next 30 years,” Sens. Actuators B, vol. 88, pp. 1-20, 2002.
X. P. A. Gao, G. Zheng, and C. M. Lieber, “Subthreshold regime has the optimal sensitivity for rnanowire FET biosensors,” Nano Lett., vol. 10, pp. 547-552, 2010.
J. M. Rothberg et al., “An integrated semiconductor device enabling non-optical genome sequencing,” Nature, vol. 475, pp. 348-352, 2011.
A. Hassibi, R. Navid, R. W. Dutton, and T. H. Lee, “Comprehensive study of noise processes in electrode electrolyte interfaces,” J. Appl. Phys., vol. 96, pp. 1074-1082, 2004.
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