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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 대한전기학회 Journal of Electrical Engineering & Technology Journal of Electrical Engineering & Technology Vol.11 No.2
- 발행연도
- 2016.3
- 수록면
- 455 - 462 (8page)
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The electron transport coefficients in not only pure atoms and molecules but also in the binary gas mixtures are necessary, especially on understanding quantitatively plasma phenomena and ionized gases. Electron transport coefficients (electron drift velocity, density-normalized longitudinal diffusion coefficient, and density-normalized effective ionization coefficient) in binary mixtures of TEOS gas with buffer gases such as Kr, Xe, He, and Ne gases, therefore, was analyzed and calculated by a two-term approximation of the Boltzmann equation in the E/N range (ratio of the electric field E to the neutral number density N) of 0.1 - 1000 Td (1 Td = 10<SUP>-17 </SUP>V.cm2). These binary gas mixtures can be considered to use as the silicon sources in many industrial applications depending on mixture ratio and particular application of gas, especially on plasma assisted thin-film deposition.
목차
Abstract
1. Introduction
2. Analysis
3. Electron transport coefficients
4. Conclusions
References
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