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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2016.1
- 수록면
- 50 - 59 (10page)
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본 논문은 0.11 μm CMOS 공정을 이용한 4세대 통신용 광대역 고 선형 전력 증폭기의 설계와 구현에 관해 기술한다. 1:2 트랜스포머(transformer)를 사용하여 출력단 매칭을 구현하였고, 인터 스테이지(inter-stage) 매칭에서 선형성을 고려한 설계가 포함되었다. 1.8 GHz에서 2.3 GHz까지, 10 MHz의 대역폭을 가지는 LTE 16-QAM 신호를 이용하여 측정한 결과, 인접채널 누설 비(ACLR)가 —30 dBc 이하일 때 27.3 dBm 이상의 선형 출력 전력을 얻을 수 있었고, 같은 조건에서 입력 신호 전력을 고려한 효율(PAE)은 최소 26.1 %로 나타남을 확인하였다.
목차
요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 광대역 출력단 매칭을 위한 트랜스포머 설계
Ⅲ. 선형성을 고려한 인터스테이지 매칭
Ⅳ. 구현 및 측정
Ⅴ. 결론
References
참고문헌 (8)
참고문헌 신청
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S. Leuschner, J. -E. Mueller, and H. Klar, "A 1.8 GHz wide-band stacked-cascode CMOS power amplifier for W-CDMA application in 65 nm standard CMOS", in IEEE RFIC Symp., pp. 1-4, Jun. 2011.
S. Pornpromlikit, J. Jeong, C. Presti, A. Scuderi, and P. Asbeck, "A watt-level stacked-FET linear power amplifier in siliconon-insulator CMOS", IEEE Trans. Microw. Theory Tech., vol. 58, no. 1, pp. 57-64, 2010.
S. Jin, M. Kwon, K. Moon, B. Park, and B. Kim, "Control of IMD asymmetry of CMOS power amplifier for broadband operation using wideband signal", IEEE Trans. Microw. Theory Tech., vol. 61, no. 10, pp. 3753- 3762, Oct. 2012. Symp., pp. 1-4, Jun. 2011.
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