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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.15 No.6
- 발행연도
- 2015.12
- 수록면
- 629 - 633 (5page)
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An active balun using current steering for phase correction is presented. The proposed active balun is constructed with two different unit balun structures based on current steering to reduce phase and amplitude errors. This type of topology can be compared with the conventional phase and amplitude correction techniques which do not incorporate the current steering. Designed and fabricated active balun in 0.18 μm CMOS process operates over 0.95 - 1.45 GHz band, showing input reflection coefficient under -15 dB, phase error of 11˚ and gain error of 0.5 dB. Gain is measured to be 0.3 dB maximum and power consumption of 7.2 mW is measured.
목차
Abstract
I. INTRODUCTION
II. THE PROPOSED ACTIVE BALUN
III. MEASUREMENT RESULTS
IV. CONCLUSION
REFERENCES
참고문헌 (11)
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[학술대회논문] - P. S. Wu / 2004 / Threedimensional X-band new transformer balun configuration using the multilayer ceramic technologies / 34th European Microwave Conf : 385 ~ 388
[학술지(정기간행물)] - B. J. Huang / 2009 / A 2-40 GHz active balun using 0.13 μm CMOS process / IEEE Microw. Wireless Compon. Lett 19 (3) : 164 ~ 166
[학술지(정기간행물)] - S. H. Weng / 2009 / A DC-21 GHz low imbalance active balun using Darlington cell technique for high speed data communications / IEEE Microw. Wireless Compon. Lett 19 (11) : 728 ~ 730
[학술지(정기간행물)] - B. Welch / 2005 / A 20-GHz low-noise amplifier with active balun in a 0.25 μm SiGe BICMOS technology / IEEE JSSC 40 (10) : 141 ~ 144
[학술지(정기간행물)] - H. H. Chiang / 2011 / A 90 nm CMOS V-band low-noise active balun with broadband phase-correction technique / IEEE JSSC 46 (11) : 2583 ~ 2591
[학술지(정기간행물)] - B. J. Huang / 2009 / A 2-40 GHz active balun using 0.13 μm CMOS process / IEEE Microw. Wireless Compon. Lett 19 (3) : 164 ~ 166
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