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이용수
Abstract
Ⅰ. INTRODUCTION
Ⅱ. EXPERIMENTS
Ⅲ. RESULTS AND DISCUSSION
Ⅳ. CONCLUSION
REFERENCES
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반응성 스퍼터링법으로 제조된 TaNx 박막 저항체의 TCR 특성 변화
한국재료학회 학술발표대회
2005 .01
CMOS SCALING AND GATE STACK TECHNOLOGY PROGRESS
한국재료학회 학술발표대회
2008 .01
실리콘 게이트 n-well CMOS 소자의 제작 , 측정 및 평가 ( Fabrication , Measurement and Evaluation of Silicon-Gate n-well CMOS Devices )
전자공학회지
1984 .09
이중 일함수 게이트 구조를 갖는 CMOS 소자의 전기적 특성
대한전자공학회 학술대회
2006 .11
Poly Gate Double Metal을 사용한 CMOS Standard Cell Library의 설계 ( Design of Standard Cell Library Using Poly Gate Double Metal CMOS Process )
대한전자공학회 학술대회
1985 .01
DRAM 커패시터용 $Ta_2O_5$ 박막의 전기적 특성에 미치는 전극의존성
한국재료학회지
1991 .01
누설전력소비만을 갖는 CMOS 전달게이트 회로
대한전자공학회 학술대회
2008 .06
B-TA 기술
한국통신학회 워크샵
1995 .01
Effects of Metal Nanoparticles and Blocking Dielectrics on Characteristics of Top-Gated Organic Nano-Floating-Gate Memory Devices
한국고분자학회 학술대회 연구논문 초록집
2013 .04
Advanced GaN Power Devices and Applications
ICPE(ISPE)논문집
2019 .05
2㎛ CMOS P-WELL DOUBLE METAL TECHNOLOGY
대한전기학회 학술대회 논문집
1987 .07
2μm CMOS P-Well Double Metal Technology
대한전자공학회 학술대회
1987 .07
Al2O3 기판위에 형성된 Ti-O 완충층을 가진 Ta/Ta2O5/Ta 커패시터의 특성
전기전자재료학회논문지
2003 .01
B-TA 기술 개발
한국통신학회 워크샵
1996 .01
CMOS Gate Array의 개발 ( Development of a CMOS Date Array )
대한전자공학회 학술대회
1985 .01
차세대 CMOS 소자의 래치업 전류 최소화를 위한 모의 모델 해석 ( An Analysis on the Simulation Model for Minimization of Latch-Up Current of Advanced CMOS Devices )
대한전자공학회 학술대회
1998 .07
차세대 CMOS 소자의 래치업 전류 최소화를 위한 모의 모델 해석
대한전자공학회 학술대회
1998 .06
질소분압에 따른 TaNx 코팅층의 미세조직과 TCR 특성 변화
한국산학기술학회 학술대회논문집
2005 .05
Al₂O₃ 기판 위에 제작된 Ta/Ta₂O₅/Ta 박막 커패시터의 전기적 특성
대한전기학회 학술대회 논문집
2003 .07
Integration of 5-V CMOS and High-Voltage Devices for Display Drive Applications
[ETRI] ETRI Journal
1998 .02
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