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저자정보
A. K. Solomon (University of Nottingham) A. Castellazzi (University of Nottingham) N. Delmonte (University of Parma) P. Cova (University of Parma)
저널정보
전력전자학회 ICPE(ISPE)논문집 ICPE 2015-ECCE Asia
발행연도
2015.6
수록면
837 - 843 (7page)

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This work presents the development of a highly integrated power switch, based on 70?m thin IGBTs and diodes rated at 600 V. The integration relies on advanced ceramic substrate technology, featuring double-etched patterned copper tracks for a fully bond-wire-less double-sided cooling packaging solution; viases are also used in the ceramic substrates for vertical current conduction, which enables the introduction of a ground-plane structure within the switch, with greatly reduced overall values of parasitic inductance. The paper also proposes an outline of system-level integration solutions for ensuring that low-inductance characteristics at switch level are not lost when interconnecting to input filter and load.
#Integration #power switches #high switching frequency #double-sided cooling.

목차

Abstract
I. INTRODUCTION
II. POWER SWITCH DESIGN
III. POWER SWITCH ASSEMBLY AND TEST
IV. SYSTEM LEVEL INTERCONNECTION
V. CONCLUSIONS
REFERENCES

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