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이용수
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 게이트 길이가 0.2 ㎛인 wide-head T-gate 제작
Ⅲ. 결론
참고문헌
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0.2 ㎛ Wide-Head T-Gate PHEMT 제작에 관한 연구
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1995 .01
20 ㎚급 T-형 게이트 제작을 위한 2단 전자 빔 노광 공정
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2006 .06
Electron-Beam Lithography를 사용한 Sub-0.1㎛ T-Gate 제작에 관한 연구 ( Sub-0.1㎛ T-Gate Fabrication for Monolithic Microwave Integrated Circuits by Electron-Beam Lithography )
대한전자공학회 학술대회
1993 .01
전자선 묘화 장치를 이용한 비대칭적인 0.1 ㎛ Γ-게이트 PHEMT 공정 및 특성에 관한 연구
대한전자공학회 학술대회
2001 .06
SEA-OF-GATES
CAD기술특강
1989 .01
2-bit/Cell Split Gate Flash Memory with Double Gate
ITC-CSCC :International Technical Conference on Circuits Systems, Computers and Communications
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Gate Array
전자공학회지
1992 .06
3-Level Gate Drive Design
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2018 .07
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2008 .01
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JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE
2003 .03
다중 Gate 및 Channel 구조를 갖는 CMOS 영상 센서용 Floating-Gate MOSFET 소자의 제작 및 특성 평가
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2001 .01
Gate Length Dependence of LDD-to-Gate Overlap in n-MOSFET
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1998 .01
AND Gate PDP의 기체방전구조 개선
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2004 .09
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전자공학회논문지-SD
2006 .04
폴리게이트의 양자 효과에 따른 Double-Gate MOSFET의 단채널 효과 분석
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