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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2006.11
- 수록면
- 1,121 - 1,124 (4page)
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The effects of processing time on the crystallization of the amorphous silicon for self aligned contact (SAC) pad deposited on the silicon substrate using low-pressure chemical vapor deposition (LPCVD) are presented in this paper. The amorphous silicon film is being subjected to processing time from 60 to 100 min for usual amorphous silicon growth. Usual processing lime of the amorphous silicon is 100 minutes, but we tried 60 minutes processing time to study the effect on the property of silicon. Transmission electron microscopy (TEM) shows that the crystallization of the amorphous silicon to poly silicon begins to occur for 60 min of LPCVD. The tendency to grow ploy crystalline silicon is likely due to the reduced surface oxidation during grain growth and crystallization at shorter processing time. Reduced contact resistance of the poly silicon contact pad was also measured for 60 min processing time. Our result will be beneficial to mass production companies. The detailed study of the structural, morphological and property changes of the amorphous silicon layer upon different processing time will be presented.
목차
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 본론
Ⅲ. 결론
참고문헌
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