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대한전자공학회 대한전자공학회 학술대회 대한전자공학회 2007년도 하계종합학술대회 논문집Ⅰ(통신/신호처리/산업전자) 제30권 제1호
발행연도
2007.7
수록면
433 - 434 (2page)

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이 논문의 연구 히스토리 (2)

2007

극저 누설전류를 가지는 1.2V 모바일 DRAM
박상균 ,  서동일 ,  전영현 외 1명 대한전자공학회 학술대회 2007.07 학술대회자료
극저 누설전류를 가지는 1.2V 모바일 DRAM
박상균 ,  서동일 ,  전영현 외 1명 대한전자공학회 학술대회 2007.07 학술대회자료

초록· 키워드

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This paper describes a low-voltage dynamic random-access memory (DRAM) focusing on subthreshold leakage reduction during self-refresh (sleep) mode. By sharing a power switch, multiple iterative circuits such as row and column decoders have a significantly reduced subthreshold leakage current. To reduce the leakage current of complex logic gates, dual channel length scheme and input vector control method are used. Beca ... 전체 초록 보기

목차

Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 본론
Ⅲ. 결론
참고문헌

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