Effect of dielectric-semiconductor capping layer combinations on impurity free vacancy disordering of InGaAs/InGaAsP single quantum well structure

H. T. Yi ,  W. J. Choi ,  D. H. Woo 외 3명

한국통신학회 광전자공학 학술회의

1999 .05

InGaAsP / InP 다중양자우물의 서로섞임에서 확산계수의 결정 ( Determination of the Diffusion coefficient in InGaAsP / InP Multi-Quantum-Well Intermixing )

시상기 ,  윤경훈 ,  여덕호 외 1명

한국통신학회 광전자공학 학술회의

1998 .01

InGaAsP / InP 다중양자우물의 서로섞임에서 확산계수의 결정 ( Determination of the Diffusion Coefficient in InGaAsP / InP Multi-Quantum-Well Intermixing )

시상기 ,  윤경훈 ,  여덕호 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1998 .01

1.5 ㎛ InGaAs/InGaAsP/InP 양자점 레이저의 상온 연속발진 특성 분석

임정순 ,  이재훈 ,  이동한 외 4명

한국통신학회 기타 간행물

2004 .11

Disordering 효과에 따른 InGaAs/InGaAsP quantum qwell LD의 PL 특성

최택진 ,  이종창 ,  최원준 외 2명

한국통신학회 광전자공학 학술회의

1999 .05

1.55λm InGaAsP / InGaAsP 다중양자우물구조 전계흡수형 광변조기에서 캐리어 수송현상이 소광특성에 미치는 영향 ( Dependence of Extinction Ratio on the Carrier Transport in 1.55λm InGaAsP / InGaAsP Multiple-Quantum-Wee Electroabsorption Modulators )

심종인 ,  어영선

전자공학회논문지-SD

2000 .09

압축응력 다중양자우물 구조 InGaAs/InGaAsP PBH-DFB-LD의 제작과 특성 평가 ( Fabrication and Characterization of InGaAs/InGaAsP Strained Multiple Quantum Well PBH-DFB-LDs )

이중기 ,  장동훈 ,  조호성 외 4명

전자공학회논문지-A

1995 .08

IFVD 방식에 의한 양자 우물 혼합 방식에서 에피 층 질의 영향 ( Effects of an Epitaxial Layer Quality on Quantum Well Intermixing by Impurity-Free Vacancy Disordering )

손낙진 ,  한해욱 ,  박병훈 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1998 .01

IFVD 방식에 의한 양자 우물 혼합 방식에서 에피 층 질의 방향 ( Effects of an Epitaxial Layer Quality on Quantum Well Intermixing by Impurity-Free Vacancy Disordering )

손낙진 ,  한해욱 ,  박병훈 외 1명

한국통신학회 광전자공학 학술회의

1998 .01

MOCVD에 의한 InGaAs, InGaP 및 InGaAsP필름의 성장 및 조성변화에 대한 수치해석 연구

임익태 ,  김동석 ,  김우승

반도체및디스플레이장비학회지

2005 .01

1.3 InGaAsP / InP 양자우물구조 레이저 다이오드의 고온동작특성 ( High Temperature Operation of 1.3 InGaAsP Strained Multi-Quantum Well Laser Diode )

양민 ,  김종석 ,  조인성 외 6명

한국통신학회 광전자공학 학술회의

1997 .01

1.3 ㎛ InGaAsP / InP 양자우물 구조 레이저 다이오드의 고온동작 특성 ( High Temperature Operation of 1.3㎛ InGaAsP Strained Multi-Quantum Well Laser Diode )

양민 ,  김종석 ,  조인성 외 6명

대한전자공학회 학술대회

1997 .01

InGaAs / InGaAsP MQW Structure Grown on Corrugated Substrate

오경석 ,  강중구 ,  이수원 외 4명

대한전자공학회 학술대회

1996 .01

고속직접변조를 위한 1.55μm InGaAsP/InGaAsP SL-MQW DFB-LD 의 양자우물구조의 최적화 ( Optimization of Multiple-quantum-well structures in 1.55μm InGaAsP/InGaAsP SL-MQW DFB-LD for high-speed direct modulation )

심종인 ,  한백형

전자공학회논문지-D

1997 .03

Dependence of High-Speed Properties on InGaAsP-InGaAsP MQW ( Multiple-Quantum -Well ) Structures in 1.55 μm λ/4-Shifted DFB Lasers

Jong In Shim ,  Tae Il Kim

OPTOELECTRONICS & COMMUNICATIONS CONFERENCE

1997 .01

1.3-μm InGaAsP Multiple Quantum Well Laser on ( 211 ) InP Substrate

T. Tsuchiya ,  Y. Okuno ,  A. Niwa 외 1명

OPTOELECTRONICS & COMMUNICATIONS CONFERENCE

1997 .01

다중양자우물 구조의 Impurity Free Vacancy Diffusion ( IFVD ) 에 의한 Band Gap Energy Tuning의 소자집적을 위한 지역 선택성 조사 및 그 응용 ( Band Gap Energy Tuning of the Multi Quantum Well By Impurity Free Vacancy Diffusion and its Area Selectivity for the Integration of the Devices and its Application )

여덕호 ,  윤경훈 ,  시상기 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1998 .01

The Characteristics of Semiconductor Laser Diodes(LDs) Using InGaAs/GaAs Quantum Dots in an In0.1Ga0.9As Quantum Well

허두창 ,  배형철 ,  송진동 외 8명

한국통신학회 기타 간행물

2002 .10

다중양자우물 구조의 Impurity Free Vacancy Diffusion ( IFVD ) 에 의한 Band Gap Energy Tuning의 소자집적을 위한 지역 선택성 조사 및 그 응용 ( Band Gap Energy Tuning of the Multi Quantum Well by Impurity Free Vacancy Diffusion and its Area Selectivity for the Intergration of the Devices and its Application )

여덕호 ,  윤경훈 ,  시상기 외 1명

한국통신학회 광전자공학 학술회의

1998 .01

기관 구조가 Quantum Well Intermixing에 미치는 영향 ( Effects of Patterned Substrates on Quantum Well Intermixing )

손낙진 ,  박병훈 ,  배정훈 외 3명

한국통신학회 광전자공학 학술회의

1997 .01