약하게 핀치오프된 Cold-HEMT를 이용한 새로운 HEMT 소신호 모델링 기법

전만영

한국정보통신학회논문지

2003 .08

HEMT 기생소자의 새로운 추출법 ( A New Parasitic Extraction Method for HEMTs )

김병성 ,  남상욱

대한전자공학회 학술대회

1994 .05

게이트 폭의 변화에 따른 P-HEMT의 특성연구 ( Characteristics of Pseudomorphic HEMTs with Various Gate Widths )

강순종 ,  이준서 ,  하정혁 외 5명

대한전자공학회 학술대회

1993 .10

정방향 게이트 전류를 이용하지 않는 고성능 HEMT의 소자값 추출법 ( A New Parameter Extraction Technique for high Performance HEMT s using S-parameters Under Nonconducting Gate Bias Condition )

이대희 ,  권영우 ,  구경헌

한국통신학회논문지

1998 .02

S-파라미터만을 이용한 고성능 HEMT의 소자값 추출법 ( A New Parameter extraction technique for high performance HEMT`s using only S-parameters )

이대희 ,  권영우 ,  고원 외 1명

한국통신학회 학술대회논문집

1997 .01

S-파라미터만을 이용한 고성능 HEMT의 소자값 추출법 ( A New Parameter Extraction Technique for High Performance HEMT's Using only S-parameters )

이대희 ,  권영우 ,  고원 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1997 .10

Analysis and Modeling for 1-5 Characteristics of HEMT`s

Kwang Mean Pa ,  k

KITE JOURNAL OF ELECTRONICS ENGINEERING

1991 .01

HEMT 소자 공정 연구 ( A Study on HEMT Device Process )

이종람 ,  이재진 ,  맹성재 외 5명

특정연구 결과 발표회 논문집

1989 .01

Hemt 소자 공정 연구 ( A Study on HEMT Device Process )

이종람 ,  이재진 ,  맹성재 외 5명

한국통신학회 학술대회논문집

1989 .01

다중 바이어스 추출 기법을 이용한 HEMT 소신호 파라미터 추출

강보술 ,  전만영 ,  정윤하

대한전자공학회 학술대회

2000 .11

HEMT의 2차원 수치 해석 ( Two Dimensional Numerical Analysis of HEMT ` s )

김형래 ,  박장우 ,  김한구 외 2명

전자공학회논문지

1989 .11

측정된 S-파라미터에서 MESFET과 HEMT의 기생 저항을 구하는 새로운 방법 ( A New Method for Determination the Parasitic Extrinsic Resistances of MESFETs and HEMTs from the Measured S-Parameters under Active Bias )

임종식 ,  김병성 ,  남상욱

한국전자파학회논문지

2000 .09

짧은 게이트 길이를 갖는 Hemt의 해석적 모델

김성진 ,  김희종 ,  우덕하 외 6명

대한전자공학회 학술대회

1995 .01

A SIMPLE MODEL for I-V CHARACTERISTICS of HEMTs

Kwang Mean Pa ,  k ,  Kae Dal Kwack

JTC-CSCC : Joint Technical Conference on Circuits Systems, Computers and Communications

1988 .01

측정한 산란계수에 의한 HEMT Modeling 변수의 결정에 관한 연구 ( A Study of Determination of the Basic Device Parameters of HEMT Modeling by Measured S-parameter )

박순태 ,  손병문

전자공학회논문지-IE

2000 .03

계단형 게이트 구조를 이용한 AlGN/GaN HEMT의 전류-전압특성 분석

김동호 ,  정강민 ,  김태근

전자공학회논문지-SD

2010 .06

X - 밴드 저잡음 증폭기용 0.25 ㎛ T - 형 게이트 P - HEMT 제작

이강승 ,  정윤하

대한전자공학회 학술대회

2000 .11

MBT에 의한 HEMT ( HEMT Devices by MBE )

김봉열

한국통신학회 워크샵

1986 .01

초저잡음 P-HEMT 제작 및 특성 ( The Fabrication and Characteristics of The Super Low Noise P-HEMT )

정영래 ,  주문철 ,  송용두 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1996 .11

초저잡음 P-HEMT 제작 및 특성

정영래 ,  주문철 ,  송용두 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1996 .11