LN₂ 환경에서 MOS 소자 및 CMOS 인버터의 전기적 특성

이상원 ,  곽원영 ,  강문상 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1997 .11

D MOS , V MOS tr. 등 특수구조를 갖는 MOS소자의 설계

성만영

대한전자공학회 단기강좌

1983 .01

CMOS 인버터의 지연시간

여지환 ,  김석현 ,  황병곤

한국멀티미디어학회 학술발표논문집

1999 .11

CMOS 인버터의 지연 시간 모델 ( A Delay Model for CMOS Inverter )

김동욱 ,  최태영 ,  정병권

전자공학회논문지-C

1997 .06

0.5㎛ 이하의 CMOS 기술을 위한 공정 및 소자 설계에 관하여 (On the Process and Device Design for Sub-0.5㎛ CMOS Technology )

오춘식

대한전자공학회 학술대회

1989 .01

MOS 구조의 특성

성영권 ,  여권 ,  이상훈

대한전기학회 학술대회 논문집

1986 .07

세계의 인버터전기차 개발현황

김양모

전기의세계

1987 .09

CMOS 인버터의 소모전력 모델링 ( Power Dissipation Modeling of CMOS Inverter )

정병권 ,  김동욱

대한전자공학회 학술대회

1998 .01

MOS 영상 소자의 출력 회로 분석 ( Analysis of Output Circuits of the MOS Image Sensor )

박상식 ,  박오연 ,  이종덕

대한전자공학회 학술대회

1988 .11

MOS 소자의 특성에 어닐링 방법이 미치는 영향 ( Effects of Annealing Method in MOS Devices Properties )

최원은 ,  장의구 ,  이종인

대한전자공학회 학술대회

1987 .05

동작속도가 빠른 Mo2N/Mo 게이트 MOS 집적회로 ( High Speed Mo2N/Mo-Gate MOS Integrated Circuit )

김진섭 ,  이우일 ,  이대우 외 1명

전자공학회지

1985 .07

소자 분야 - xMgTiO3( 1-x ) ( Na1/2 Ln1/2 ) TiO3 ( Ln = La , Pr , Nd , Sm )의 초고주파 유전특성에 관한 연구

김덕환 ,  임상규 ,  안철

전자공학회논문지-D

1998 .10

384X485개의 화소를 가지는 MOS 영상 감지소자 ( A MOS Image Sensor with 384X485 Pixels )

박상식 ,  박창배 ,  이종덕

전자공학회논문지

1988 .11

Evaluation of Monkman-Grant Parameters for Type 316LN and Modified 9Cr-Mo Stainless Steels

Woo Gon Kim ,  Sung Ho Kim ,  Woo Seog Ryu

Journal of Mechanical Science and Technology

2002 .11

얇은 Si 산화막을 지닌 MOS 구조의 전기적 특성

성영권 ,  안상식 ,  백우현

대한전기학회 학술대회 논문집

1984 .07

방사선이 조사된 MOS 구조에서의 전기적 특성 ( Electrical Characteristics in irradiated MOS capacitors )

권순석 ,  채홍인 ,  류부형 외 2명

한국통신학회 학술대회논문집

1992 .01

전기차용 인버터 기술

양천석

조명·전기설비

2011 .07

디지털 시스템설계를 위한 CMOS 인버터게이트 셀의 지연시간

여지환

한국산업정보학회 학술대회논문집

2002 .06

CMOS 인버터의 최대 전력소모 예측을 위한 모델링 ( A Modeling of CMOS Inverter for Maximum Power Dissipation Prediction )

정병권 ,  김동욱

대한전자공학회 학술대회

1998 .11

CMOS 인버터의 최대 전력소모 예측을 위한 모델링

정병권 ,  김동욱

대한전자공학회 학술대회

1998 .11