수직형 LPE에 의한 InGaAsP / GaAs 단결정 성장 관한 연구

황상구 ,  조호성 ,  예병덕 외 2명

한국통신학회 학술대회논문집

1991 .01

2상용액법이 InGaAsP / GaAs 결정성장에 미치는 영향

조호성 ,  박윤호 ,  황상구 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1994 .01

D. T. P. 방법에 의한 InGaAsP / GaAs 액상결정성장

조호성 ,  황상구 ,  오종환 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1992 .07

D.T.P. 방법에 의한 InGaAsP/GaAs 액상결정성장

조호성 ,  황상구 ,  오종환 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1992 .06

LPE법에 의해 성장된 InGaAsP / GaAs SCH-SQW Laser Diode의 광학적 특성 ( Optical Characteristics of InGaAsP / GaAs SCH-SQW Laser Diode Grown by LPE )

강경인 ,  임갑규 ,  김태일 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1994 .01

LPE법에 의한 성장된 InGaAsP / GaAs SCH-SQW Laser Diode의 광학적 특성 ( Optical Characteristics of InGaAsP / GaAs SCH-SQW Laser Diode Grown by LPE )

강경인 ,  임갑규 ,  김태일 외 1명

한국통신학회 광전자공학 학술회의

1994 .01

THEORETICAL AND EXPERIMENTAL ANALYSIS OF HIGH POWER Al-FREE InGaAsP/GaAs LASER DIODE

Yi ,  Hyuk-Jong ,  Razegih 외 1명

한국재료학회 학술발표대회

1998 .01

수직형LPE에 의한 InGaAsP ( 1.3μm ) / InP 다층박막 결정성장 ( The Thin Multi Layer Crystal Growth of InGaAsP ( 1.3μm ) / InP by Vertical LPE System )

조호성 ,  오종환 ,  김경식 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1990 .07

1.3μm InGaAsP / InP 레이저 다이오드의 온도 특성의 Strain 에 대한 의존성 조사 ( The Influence of Strain on the Characteristic Temperature of 1.3 InGaAsP / InGaAsP Laser Structure )

이정석 ,  지정근 ,  계용찬 외 3명

한국통신학회 광전자공학 학술회의

1998 .01

1.3 ㎛ InGaAsP / InP 레이저 다이오드의 온도 특성의 Strain에 대한 의존성 조사 ( The Influence of strain on the Characteristic Temperature of 1.3㎛ InGaAsP / InGaAsP Laser Structure )

이정석 ,  지정근 ,  계용찬 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1998 .01

780nm InGaAsP / GaAs LD의 단일모드 동작을 위한 구조설계

안세경 ,  하홍춘 ,  박윤호 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1994 .01

InGaAsP/InP Double Heterostructure의 LPE 성장

채태일

한국재료학회 학술발표대회

1992 .01

Cavity Length and Temperature Dependence of the Lasing Characteristics of InGaAsP / GaAs SCH-SQW Laser Grown by LPE

임갑규 ,  오윤경 ,  박게오르기 외 1명

한국통신학회 광전자공학 학술회의

1993 .01

Cavity Length and Temperature Dependence of the Lasing Characteristics of InGaAsP / GaAs SCH-SQW Lasers Grown by LPE

Gab Gyu Lim ,  Yun Kyung Oh ,  Gueo Rugui Pa 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1993 .01

1.55λm InGaAsP / InGaAsP 다중양자우물구조 전계흡수형 광변조기에서 캐리어 수송현상이 소광특성에 미치는 영향 ( Dependence of Extinction Ratio on the Carrier Transport in 1.55λm InGaAsP / InGaAsP Multiple-Quantum-Wee Electroabsorption Modulators )

심종인 ,  어영선

전자공학회논문지-SD

2000 .09

InGaAsP / InGaAsP MQW Electro-Absorption Modulator with a High Modulation Depth

박원규 ,  강병권 ,  박형순 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1998 .01

InGaAsP / GaAs계 SCH-SQW구조의 LD제작 ( Fabrication of LD with SCH-SQW Structure Using InGaAsP / GaAs )

이재호 ,  강경인 ,  방동수 외 1명

한국통신학회 광전자공학 학술회의

1993 .01

InGaAsP / GaAs계 SCH-SQW구조의 LD제작 ( Fabrication of LD With SCH-SQW Structure using InGaAsP / GaAs )

이재호 ,  강경인 ,  방동수 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1993 .01

Design Optimization and Reliability on High Power InGaAsP / GaAs SCH-SQW Lasers Operating at 809nm Grom by LPE

임갑규 ,  오윤경 ,  유연수 외 4명

한국통신학회 광전자공학 학술회의

1994 .01

Auger 전자현미경을 이용한 LPE에 의해서 성장된 InGaAsP/InP 이종접합계면에 대한 연구 ( Auger Study of LPE Grown InGaAsP/InP Heterostructure )

김정호 ,  권오대 ,  박효훈 외 1명

전자공학회논문지

1988 .12