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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2014.7
- 수록면
- 1,777 - 1,783 (7page)
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본 연구에서는 전자장비 내방사화 기술의 새로운 효율적 접근방법인 전원제어형 방호장치에서 핵심 기능을 수행하는 고속 반도체 센서를 개발하고 그 특성을 분석하였다. 먼저, 펄스방사선에 의한 다이오드 내부에서의 생성 전하를 계산한 후 TCAD로 모델링하여 42 μm 진성층의 실리콘 에피텍시 웨이퍼 기반의 고속 신호탐지용 PIN 다이오드 센서를 다양한 구조로 설계하였다. PAL의 Test LINAC의 전자빔 변환 감마방사선 4.88E8 rad(Si)/sec에 대한 실측시험에서 소자의 면적에 비례하는 광감도와 응답속도 증가 결과를 얻었으며 포화특성과 소자의 균일성을 기준으로 2mm직경의 센서를 최적으로 판단되었다. 선정 센서를 대상으로 한 펄스감마선 고출력 범위(2.47E8 rad(Si)/sec ∼ 6.21E8 rad(Si)/sec)로 선량률 가변시험에서는 개발한 소자가 시험장치의 고 선량률 영역에서 전원제어 신호처리에 충분한 60mA 이상의 광전류 피크값과 함께 350 ns 이하의 고속 응답특성을 가지는 선형적 센서임을 확인하였다.
목차
요약
ABSTRACT
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 펄스방사선 탐지용 센서 설계 제작
Ⅲ. 센서 구조별 펄스방사선 응답특성
Ⅳ. 펄스방사선 세기별 센서 출력특성
Ⅴ. 결론
REFERENCES
참고문헌 (9)
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1. [학술지(정기간행물)] - George C. Messenger / 1986 / Transient Radiation Effects on Electronics / IEEE Trans. Nuclear Science 33 (5) : 1125 ~
2. [학술지(정기간행물)] - Mohamed N. Darwish / 1988 / Radiation Effects on Power Integrated Circuits / IEEE Trans. Nuclear Science 35 (6) : 1547 ~ 1551
3. [학술지(정기간행물)] - Chugg, A.M. / 1994 / Ionizing Radiation effects: a vital issue for semiconductor electronics / Engineering Science and Education Journal 3 (3) : 123 ~ 130
4. [학술지(정기간행물)] - 정상훈 / 2012 / 과도방사선에 의한 CMOS 소자 Latch-up 모델 연구 / 전기학회논문지 61 (3) : 422 ~ 426
5. [학술지(정기간행물)] - Hyoung Gin Nam / 2006 / Fabrication of a Silicon PIN Diode for Radiation Detection / Journal of the Korean Physical Society 48 (6) : 1514 ~ 1519
2. [학술지(정기간행물)] - Mohamed N. Darwish / 1988 / Radiation Effects on Power Integrated Circuits / IEEE Trans. Nuclear Science 35 (6) : 1547 ~ 1551
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