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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2014.1
- 수록면
- 135 - 141 (7page)
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본 연구에서는 무접합 MuGFET의 핀 폭에 따른 문턱전압의 변화를 줄이기 위한 소자 설계 가이드라인을 제시하였다. 제작된 무접합 MuGFET으로부터 핀 폭이 증가할수록 문턱전압의 변화가 증가하는 것을 알 수 있었다. 무접합 MuGFET의 핀 폭에 따른 문턱전압의 변화를 줄이기 위한 소자 설계가이드라인으로 게이트 유전체, 실리콘박막의 두께, 핀 수를 최적화 하는 연구를 3차원 소자 시뮬레이션을 통해 수행하였다. 고 유전율을 갖는 La2O3 유전체를 게이트 절연층으로 사용하거나 실리콘 박막을 최대한 얇게 하므로 핀 폭이 증가해도 문턱전압의 변화율을 줄일 수 있음을 알 수 있었다. 특히 유효 채널 폭을 같게 하면서 핀 수를 많게 하므로 문턱전압 변화율과 문턱전압 아래 기울기를 작게 하는 것이 무접합 MuGFET의 최적의 소자 설계 가이드라인임을 알 수 있었다.
목차
요약
ABSTRACT
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 소자 측정 및 시뮬레이션
Ⅲ. 결과 및 고찰
Ⅳ. 결론
REFERENCES
참고문헌 (11)
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2. [학술지(정기간행물)] - C.W. Lee / 2010 / Performance estimation of junctionless multigate transistors / Solid-State Electronics 54 : 97 ~ 103
3. [학술지(정기간행물)] - A. Gnudi / 2012 / Analysis of threshold voltage variation due to random dopant fluctuation in junctionless FETs / IEEE Electron Device Lett 33 (3) : 336 ~ 338
4. [학술지(정기간행물)] - R. D. Trevisoli / 2013 / A physically-based threshold voltage definition, extraction and analytical model for junctionless nanowire transistors / Solid-State Electonics
5. [학술지(정기간행물)] - S. Choi / 2011 / Sensitivity of threshold voltage to nanowire width variation in junctionless transistors / IEEE Electron Device Lett 32 (2) : 125 ~ 127
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5. [학술지(정기간행물)] - S. Choi / 2011 / Sensitivity of threshold voltage to nanowire width variation in junctionless transistors / IEEE Electron Device Lett 32 (2) : 125 ~ 127
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