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학술대회자료
저자정보
김파 (서울시립대학교) 악흔 (서울시립대학교) 후렐바타르 벌러르마 (서울시립대학교) 김철주 (서울시립대학교)
저널정보
대한전자공학회 대한전자공학회 학술대회 2010년도 대한전자공학회 하계종합학술대회
발행연도
2010.6
수록면
485 - 488 (4page)

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이 논문의 연구 히스토리 (2)

2010

저온 RTP-CVD에 의해 성장된 인화붕소(BP)의 물리적 특성
김파 ,  악흔 ,  후렐바타르 벌러르마 외 1명 대한전자공학회 학술대회 2010.06 학술대회자료
저온 RTP-CVD에 의해 성장된 인화붕소(BP)의 물리적 특성
김파 ,  악흔 ,  후렐바타르 벌러르마 외 1명 대한전자공학회 학술대회 2010.06 학술대회자료

초록· 키워드

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Boron Phosphide (BP) films were deposited on Si(111) substrate at 450 ℃, by the reaction of B<SUB>2</SUB>H<SUB>6</SUB> with PH<SUB>3</SUB> using RTP-CVD. From the measurement of AES the films have B<SUB>13</SUB>P<SUB>2</SUB> Stoichiometry. From the result of WDX, it is detected each Boron and Phosphorus. However, the oxygen atom is not inter-diffusion in BP. It is mean that BP can be uses as the protect material of PDP and that of solar cell.

목차

Abstract
I. 서론
II. 실험
III. 결과 및 고찰
IV 결론
참고문헌

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