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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2013.11
- 수록면
- 394 - 397 (4page)
이용수
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2014
2013
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In this paper, we designed proper structures of power amplifier and sector antenna for IMT-Advanced Femto cell. The RF system of Femto cell must had high efficiency and adjustable beam forming. The power amplifier must have high efficiency, low distortion and minimized circuit size. The sector antenna made proper beamforming on Femto cell coverage. The Doherty power amplifier was designed using by GaN MMIC(Monolithic Microwave Integrated Circuit). The sector antenna was design using by combined three radiators which were coupled feed method. The simulation results satisfied the specification. The output power level of GaN Doherty amplifier was 42 dBm and PAE was 47%. The gain of single radiator was 6.5 dBi and the gain of combined radiators was 2.5 dBi.
목차
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. Doherty 전력증폭기와 Sector 안테나
Ⅲ. GaN Doherty 전력증폭기와 Sector 안테나의 설계
Ⅳ. 결론
참고문헌
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UCI(KEPA) : I410-ECN-0101-2015-560-001003565