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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2012.6
- 수록면
- 583 - 586 (4page)
이용수
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2014
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In this paper, we investigate a proper structure of power amplifier for IMT-Advanced system. The power amplifier must have high efficiency and minimized circuit size. We design the high efficiency structure with two GaN(Gallium nitride) transistors which have different output capacity and Doherty technique. We implement GaN Doherty amplifier for active phased arrays system of IMT-Advanced. The experiment results satisfied the specification of amplifier. The gain was 45.775 dB and the P1dB output power was 46.512 dBm. The ACLR (Adjacent Channel Leakage Power) was -32.16 dBc at 5 W output level. Especially, the proposed power amplifier had 44.2% efficiency at 5 W and it improved efficiency maximum 20 % than class AB structure.
목차
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 일반적인 Doherty 전력증폭기
Ⅲ. Asymmetric Doherty 구조의설계 및 제작
Ⅳ. 결론
참고문헌
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