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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2011.6
- 수록면
- 454 - 457 (4page)
이용수
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Power MOSFET devices are widely used in power electronics applications, such as BLDC (Brushless Direct Current) motor and power module, etc. For the conventional power MOSFET device structure, there exists a tradeoff relationship between specific on-state resistance (R<SUB>ON</SUB>,<SUB>sp</SUB>) and breakdown voltage (V<SUB>BR</SUB>). In order to overcome the tradeoff relationship, a Super-junction (SJ) Trench MOSFET structure is studied and designed in this paper. The structure modelling and the characteristic analyses for the design parameters such as doping density, potential distribution, electric field, width, depth of trench are performed and simulated by using of the SILVACO TCAD 2D device simulator, Atlas. As a result, the specific low on-resistance of at the class of 100 V is successfully designed in the super-junction trench MOSFET.
목차
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. SJ 구조 및 설계
Ⅲ. 시뮬레이션
Ⅳ. 결론 및 검토
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UCI(KEPA) : I410-ECN-0101-2015-560-001044408