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플라즈마(Plasma) 공정 시뮬레이션에서 가장 중요한 요소는 식각(Etching) 과정으로 특성 정보 프로파일(Feature Profile)에 의존하는 식각 비율(Etch Rate)을 계산하는 것이다. 식각 비율을 결정 요소는 이온 플럭스(Ion Flux), 뉴트럴 플럭스(Neutral Flux), 가스 종 온도 등 다양하지만 본 논문에서는 이온 플럭스(Ion Flux)에 한정하여 고속으로 이온 플럭스를 계산하기 위한 스캔 방법을 제안 했다. 그리고 일반적으로 많이 사용되어지는 몬테카를로(Monte Carlo) 방법과 제안 방법을 가우시안 분포 및 코사인 분포를 이용하여 실험하고 서로 비교 분석하였다. 본 논문에서 제안한 방법이 몬테카를로 방법과 비교 했을 때 보다 효율적으로 정확한 이온 플럭스를 계산 할 수 있음을 검증하였다.
목차
요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 이온 플럭스 계산
Ⅲ. 실험
Ⅳ. 결론
REFERENCES
참고문헌 (9)
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1. [학위논문] - R. J. Hoekstra / 1998 / A model of energy and angular distributions of fluxes to the substrate and resulting surface topology for plasma etching systems / 박사
2. [학위논문] - K. O. Abrokwah / 2006 / Characterization and Modeling of Plasma Etch Pattern Dependencies in Integrated Circuits / 석사 / Massachusetts Institute of Technology
3. [학술지(정기간행물)] - L. Chen / 2011 / Plasma etching uniformity control for making large and thick dual-focus zone plates / Microelectronic Engineering 88 (8) : 2466 ~ 2469
4. [단행본] - G. Y. Yeom / 2012 / Plasma Etching Technology / YOUNG
5. [학술지(정기간행물)] - D. B. Graves / 2003 / Influence of Modeling and Simulation on the Maturation of Plasma Technology : Feature Evolution and Reactor Design / J. Vac. Sci. Technol 21 : 152 ~ 156
2. [학위논문] - K. O. Abrokwah / 2006 / Characterization and Modeling of Plasma Etch Pattern Dependencies in Integrated Circuits / 석사 / Massachusetts Institute of Technology
3. [학술지(정기간행물)] - L. Chen / 2011 / Plasma etching uniformity control for making large and thick dual-focus zone plates / Microelectronic Engineering 88 (8) : 2466 ~ 2469
4. [단행본] - G. Y. Yeom / 2012 / Plasma Etching Technology / YOUNG
5. [학술지(정기간행물)] - D. B. Graves / 2003 / Influence of Modeling and Simulation on the Maturation of Plasma Technology : Feature Evolution and Reactor Design / J. Vac. Sci. Technol 21 : 152 ~ 156
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