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이용수
요약
ABSTRACT
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 에치스토퍼 a-Si:H TFT의 제작 및 특성
Ⅳ. 결론
참고문헌
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비정질 실리콘 박막트랜지스터의 실효정전용량에 기초한 C-V 특성 ( A Capacitance-Voltage Characteristics Based on Effective Capacitance in a-Si:H TFT )
대한전자공학회 학술대회
1993 .07
비정질 실리콘 박막트랜지스터의 실효정전용량에 기초한 C-V 특성
대한전자공학회 학술대회
1993 .07
이온주입에 의한 소오스/드레인 접합부 결함을 제거한 다결정 실리콘 박막 트렌지스터
대한전기학회 학술대회 논문집
2002 .07
엑시머 레이저광의 회절에 의한 저온 다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 소오스/드레인 접합부 결함 생성
대한전기학회 학술대회 논문집
2002 .11
비정질 실리콘 박막 트랜지스터 캐패시턴스 특성의 온도의존성
전기학회논문지
1995 .10
PECVD에 의한 μc-Si : H 박막트랜지스터의 제조 ( Fabrication of μc-Si : H TFTs by PECVD )
전자공학회논문지-A
1996 .05
a-Si:H TFT의 수율 향상을 위한 공정 개선
한국정보통신학회논문지
2007 .06
드레인 전압 바이어스에 대한 미세결정 실리콘 박막 트랜지스터의 전기적 안정성 분석
대한전기학회 학술대회 논문집
2009 .07
저온 Poly-Si TFT의 공정 단순화를 위한 스태거 구조 박막 트랜지스터 개발
대한전자공학회 학술대회
1998 .01
평판 디스플레이용 박막 트랜지스터의 전기적인 특성
한국조명·전기설비학회 학술대회논문집
1994 .11
고 집적을 위한 n-channel MOSFET의 소오스/드레인 구조의 특성 비교에 관한 연구 ( A Study on the Characteristics Comparison of Source/Drain Structure for VLSI in n-channel MOSFET )
전자공학회논문지-A
1993 .12
열화가 억제된 다결성 실리콘 박막 트랜지스터의 제작 및 소자의 열화 특성 분석
전기학회논문지 C
2001 .10
비정질 인듐-갈륨-아연 산화물 박막 트랜지스터에서 티타늄/구리 소스 드레인이 전기적 특성에 미치는 효과
대한전기학회 학술대회 논문집
2012 .07
Planar MOSFET에서 측정을 통한 기생 커패시턴스 추출 방법
대한전자공학회 학술대회
2015 .11
MOSFET에서 게이트전압에 의존하는 소오스 / 드레인 저항을 추출하는 간단한 방법 ( Simple Extraction Method for Gate-Voltage Dependent Source / Drain Resistance in MOSFETs )
대한전자공학회 학술대회
1990 .07
불규칙한 소오스/드레인 금속 접촉을 갖는 비대칭 n-MOSFET의 전기적 특성 및 모델
대한전자공학회 학술대회
1999 .11
비대칭 소오스/드레인을 갖는 NMOSFET의 전기적 특성
대한전자공학회 학술대회
1998 .11
비대칭 소오스 / 드레인을 갖는 NMOSFET의 전기적 특성 ( Electrical Characteristics of NMOSFET's with Asymmetric Source / Drain Region )
대한전자공학회 학술대회
1998 .11
인쇄 공정을 이용한 강유전체 박막 트랜지스터의 제작 및 특성
대한전기학회 학술대회 논문집
2011 .11
누설 전류 감소를 위한 새로운 다결정 실리콘 박막 트랜지스터 제작 공정에 관한 연구
한국재료학회 학술발표대회
1998 .01
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