지원사업
학술연구/단체지원/교육 등 연구자 활동을 지속하도록 DBpia가 지원하고 있어요.
커뮤니티
연구자들이 자신의 연구와 전문성을 널리 알리고, 새로운 협력의 기회를 만들 수 있는 네트워킹 공간이에요.
논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2009.10
- 수록면
- 2,045 - 2,051 (7page)
이용수
이 논문의 연구 히스토리 (2)
- 이 논문의 후속연구가 궁금하신가요?
- 연관 학술논문 또는 학술발표를 통해 보다 발전된 연구결과를 확인하실 수 있습니다.
- 이 논문의 연구 히스토리 확인하기
초록· 키워드
오류제보하기
SOI MOSFET를 이용하여 5GHz대역 저잡음 증폭기를 설계하였다. 잡음특성을 향상시키기 위해 공핍형 SOI-MOSFET를 사용하였고, 저전압에서 동작시키기 위해 소스접지와 게이트접지 증폭기를 연결한 2단형으로 설계 하였다. 제작된 LNA는 5.5GHz에서 이득이 21dB, S11이 -10dB이하, 소비전력 8.3mW의 결과를 얻었으며 잡음지수는 공핍형 저잡음 증폭기가 1.7dB로 일반형보다 0.3dB 개선된 결과를 얻을 수 있었다. 이 같은 결과로 공핍형 SOI MOSFET를 사용함으로써 보다 잡음특성이 우수한 CMOS LNA를 설계 할 수 있음을 확인하였다.
목차
요약
ABSTRACT
Ⅰ. 서론
Ⅱ. SOI MOSFET
Ⅲ. 저전압동작 2단형 LNA의 설계
Ⅳ. LNA의 제작 및 측정
Ⅴ. 결론
참고문헌
참고문헌 (12)
참고문헌 신청
1. [학술지(정기간행물)] - R. Ahola / 2004 / A single-chip CMOS transceiver for 802.11a/b/g wireless LANs / IEEE Journal of Solid-State Circuits 39 (12) : 2250 ~ 2258
2. [학술지(정기간행물)] - M. Ugajin / 2004 / A 1-V CMOS SOI Bluetooth RF transceiver using LC-tuned and transistor-current- source Folded Circuits / IEEE J. Solid-Sate Circuits 39 (4) : 569 ~ 576
3. [단행본] - B. Razavi / 2001 / Design of Analog CMOS Integrated Circuits / McGraw-Hill
4. [학술지(정기간행물)] - J. P. Colinge / 1997 / Performances of low-voltage, low-power SOI CMOS technology / in Proc. MIEL ’97 1 : 229 ~ 236
5. [학술지(정기간행물)] - F. Ichikawa / 2004 / Fully depleted SOI process and technology for digital and RF applications / Solid-State Electronics 48 : 999 ~ 1006
2. [학술지(정기간행물)] - M. Ugajin / 2004 / A 1-V CMOS SOI Bluetooth RF transceiver using LC-tuned and transistor-current- source Folded Circuits / IEEE J. Solid-Sate Circuits 39 (4) : 569 ~ 576
3. [단행본] - B. Razavi / 2001 / Design of Analog CMOS Integrated Circuits / McGraw-Hill
4. [학술지(정기간행물)] - J. P. Colinge / 1997 / Performances of low-voltage, low-power SOI CMOS technology / in Proc. MIEL ’97 1 : 229 ~ 236
5. [학술지(정기간행물)] - F. Ichikawa / 2004 / Fully depleted SOI process and technology for digital and RF applications / Solid-State Electronics 48 : 999 ~ 1006
함께 읽어보면 좋을 논문
논문 유사도에 따라 DBpia 가 추천하는 논문입니다. 함께 보면 좋을 연관 논문을 확인해보세요!
-
공핍형 SOI MOSFET를 이용한 5GHz대역 저잡음증폭기
Proceedings of KIIT Conference
2009 .06
-
RF SOI MOSFETs의 성능저하에 의한 LNA 설계 가이드 라인
전자공학회논문지-IE
2008 .06
-
28-nm FD SOI CMOS 공정을 이용한 140 GHz 저잡음 증폭기 설계
한국전자파학회논문지
2020 .04
-
n-채널 SOI MOSFET의 I-V 특성연구
대한전자공학회 학술대회
1993 .07
-
n-채널 SOI MOSFET의 I-V 특성연구 ( A Study on I-V Characteristics of n-Channel SOI MOSFET )
대한전자공학회 학술대회
1993 .07
-
다중 게이트을 이용한 부분 공핍형 SOI MOSFET 특성에 관한 연구
대한전기학회 학술대회 논문집
1997 .07
-
n채널 SOI MOSFET의 제작과 특성 ( Fabrication and Characterization of the N-Channel SOI MOSFET )
대한전자공학회 학술대회
1993 .01
-
Impact of Gate Structure On Hot-carrier-induced Performance Degradation in SOI low Noise Amplifier
전자공학회논문지-IE
2010 .03
-
SOI MOSFET 의 소자 파라미터 추출 ( Extraction of Device Parameter for SOI MOSFET )
대한전자공학회 학술대회
1991 .11
-
소규모의 SOI MOSFET의 문턱 전압에 관한 연구 ( A Study on the Threshold Voltage of Small SOI MOSFET )
대한전자공학회 학술대회
1992 .01
-
SOI MOSFET의 Constant Voltage Scaling
대한전자공학회 워크샵
1990 .01
-
SOI 구조를 이용한 MOSFET Matrix의 형성
대한전자공학회 학술대회
1998 .01
-
SOI MOSFET의 단채널 효과를 고려한 문턱전압과 I-V 특성 연구 ( A Study on Threshold Voltage and I-V Characteristics by Considering the Short-Channel Effect of SOI MOSFET )
대한전자공학회 학술대회
1993 .01
-
SOI(Silicon-on-Insulator) 소자에서 후면 Bias에 대한 전기적 특성의 의존성
한국재료학회 학술발표대회
1993 .01
-
게이트가 파인 구조를 이용한 SOI MOSFET에서의 항복전압 개선 ( Breakdown Voltage Improvement in SOI MOSFET Using Gate-Recessed Structure )
전자공학회논문지-A
1995 .12
-
얇은 박막 SOI(Silicon-On-Insulator) MOSFET에서의 소자 변수 추출 방법
대한전기학회 학술대회 논문집
1992 .07
-
SOI MOSFET의 Floating Body Effects 감소 방법에 관한 연구
대한전자공학회 학술대회
1994 .11
-
65-nm CMOS 공정을 이용한 94 GHz 고이득 차동 저잡음 증폭기 설계
한국전자파학회논문지
2018 .05
-
SOI MOSFET의 정전류 특성에 대한 후면 Bias의 영향
대한전자공학회 학술대회
1993 .07
-
SOI MOSFET의 정전류 특성에 대한 후면 Bias의 영향 ( An Effect of Back-Gate Bias on Static Current Characteristics in SOI-MOSFET )
대한전자공학회 학술대회
1993 .07
이 논문의 저자 정보
최근 본 자료
댓글(0)
0