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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2012.4
- 수록면
- 785 - 792 (8page)
이용수
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본 연구에서는 고속 및 저전력 스위칭 소자 응용을 위하여 n-채널 무접합 및 반전모드 MuGFET 와 p-채널 무접합 및 축적모드 MuGFET의 기판전압에 따른 전류-전압 특성을 측정하고 비교 분석하였다. 기판전압에 따른 문턱전압과 포화 드레인 전류 변화로부터 n-채널 소자에서는 반전모드 소자가 무접합 소자보다 변화량이 크며 p-채널 소자에서는 무접합 소자가 축적모드 소자보다 변화량이 큰 것을 알 수 있었다. 전달컨덕턴스 변화는 n-채널 소자보다 p-채널 소자의 변화량이 큰 것을 알 수 있었다. 그리고 subthreshold swing 특성으로부터 n-채널 소자와 p-채널 무접합 소자는 기판전압 변화에 따라 S값의 변화가 거의 없지만 p-채널 축적모드 소자는 기판전압이 양의 방향으로 증가할 때 S 값이 증가하는 것으로 관측되었다. 기판전압을 이용한 고속 및 저전력 스위칭 소자 응용 측면에서는 n-채널소자에서는 반전모드 소자가 p-채널 소자에서는 무접합 소자가 더 좋은 특성을 보였다.
목차
요약
ABSTRACT
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 소자제작
Ⅲ. 결과 및 고찰
Ⅳ. 결론
참고문헌
참고문헌 (11)
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1. [학술지(정기간행물)] - Jong Tae Park / 2002 / Multiple gate SOI MOSFETs :Device design guidelines / IEEE Trans. Electron Device 49 (12) : 2222 ~ 2228
2. [학술지(정기간행물)] - J. P. Colinge / 2004 / Multiple-gate SOI MOS- FETs / Solid-State Electronics 48 (6) : 897 ~ 905
3. [인터넷자원] - / / http://newsroom.intel.com/docs/DOC-2032
4. [학술지(정기간행물)] - M. Masahara / 2006 / Demostration and analysis of accumulation-mode double-gate metal oxide semiconductor field effect tran-sistor / Jpn J. Appl. Phys. 45 (4b) : 3079 ~ 3083
5. [학술지(정기간행물)] - J. P. Colinge / 2010 / Nanowire transistors without junction / Nature Nano-technology 5 (3) : 225 ~ 229
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5. [학술지(정기간행물)] - J. P. Colinge / 2010 / Nanowire transistors without junction / Nature Nano-technology 5 (3) : 225 ~ 229
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