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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
정학기
저널정보
한국정보통신학회 한국정보통신학회논문지 한국정보통신학회논문지 제15권 제8호
발행연도
2011.8
수록면
1,764 - 1,770 (7page)

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본 연구에서는 이중게이트 MOSFET의 채널내 도핑분포에 따른 문턱전압이하 스윙을 분석하였다. DGMOSFET는 차세대 나노소자로서 단채널효과를 감소시킬 수 있다는 장점 때문에 많은 연구가 진행 중에 있다. 문턱전압이하 스윙특성의 저하는 중요한 단채널 효과로서 디지털소자응용에서 매우 심각한 영향을 미치고 있다. 이러한 문턱 전압이하 스윙특성의 저하를 이중게이트(Double Gate;DG) MOSFET의 구조적 파리미터 및 채널 내 도핑분포함수의 변화에 따라 분석하고자 한다. 이를 위하여 가우시안 분포함수를 이용하여 포아송방정식의 해석학적 모델을 유도하였다. 본 논문에서 사용한 해석학적 포아송방정식의 전위분포모델 및 문턱전압이하 스윙모델의 타당성을 입증하기 위하여 수치해석학적 결과값과 비교하였으며 이 모델을 이용하여 이중게이트 MOSFET의 문턴전압이하 스윙을 분석하였다.

목차

요약
ABSTRACT
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 문턱전압이하 스윙모델
Ⅲ. 문턱전압이하 스윙에 관한 결과고찰
Ⅳ. 결론
참고문헌

참고문헌 (8)

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