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본 연구는 Si/SiO₂/Si-sub 구조의 SDB(silicon-direct-bonding) 웨이퍼를 이용한 고온용 압력센서의 제작 및 특성을 연구한 것이다. 압력센서는 SDB 웨이퍼의 첫 번째 층의 단결정 실리콘을 이용하여 압저항을 제작하기 때문에 감도가 우수하며, 두 번째 층의 산화막으로 압저항과 실리콘 기판을 절연 분리하여, 일반적인 실리콘소자의 사용 온도 한계인 120℃ 이상의 고온에서도 사용이 가능하다. 제작된 압력센서는 고감도의 압력감도 및 센서 출력의 직선성 및 히스테리시스 특성이 매우 우수함을 알 수 있었다.
목차
요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 고온용 압력센서
Ⅲ. 결과 및 고찰
Ⅳ. 결론
REFERENCES
참고문헌 (10)
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1. [학술지(정기간행물)] - Y.T.Lee / 1994 / High temperature pressure sensor using double SOI structures with two Al2O3 films / Sensors and Actuators 43 : 59 ~ 64
2. [학술지(정기간행물)] - M.Ishida / 1995 / Double SOI structure and device applications with heteroepitaxial Al2O3 and Si / Jpn. J. Appl. Phys. (2) : 831 ~ 835
3. [학술대회논문] - H.Terabe / 1997 / A silicon pressure sensor with stainless diaphragm for high temperature and chemical application / International Conference on Solid-State Sensors and Actuators : 1481 ~ 1484
4. [학술지(정기간행물)] - G.S.Chung / 1991 / High-performance pressure sensors using double SOI structure / Rev. Sci. Instrum. 62 : 1341 ~ 1346
5. [학술대회논문] - 이영태 / / 고온용 실리콘 압력센서 개발(자동차 엔진의 연소가스 압력 측정용) / 제4 회 한국 MEMS 학술대회 초록집 : 220 ~ 225
2. [학술지(정기간행물)] - M.Ishida / 1995 / Double SOI structure and device applications with heteroepitaxial Al2O3 and Si / Jpn. J. Appl. Phys. (2) : 831 ~ 835
3. [학술대회논문] - H.Terabe / 1997 / A silicon pressure sensor with stainless diaphragm for high temperature and chemical application / International Conference on Solid-State Sensors and Actuators : 1481 ~ 1484
4. [학술지(정기간행물)] - G.S.Chung / 1991 / High-performance pressure sensors using double SOI structure / Rev. Sci. Instrum. 62 : 1341 ~ 1346
5. [학술대회논문] - 이영태 / / 고온용 실리콘 압력센서 개발(자동차 엔진의 연소가스 압력 측정용) / 제4 회 한국 MEMS 학술대회 초록집 : 220 ~ 225
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