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저자정보
Seung-Chan Oh (Korea Atomic Energy Researcher Institute) Nam-Ho Lee (Korea Atomic Energy Researcher Institute) Heung-Ho Lee (Chungnam University)
저널정보
제어로봇시스템학회 제어로봇시스템학회 국제학술대회 논문집 ICCAS 2012
발행연도
2012.10
수록면
1,233 - 1,236 (4page)

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In this study, we carried out SPICE simulation and transient radiation tests for identify failure situation by a transient radiation effect on electronic devices due to high energy ionizing radiation pulse induced on electronic devices. This experiments were carried out using a 60 MeV electron beam pulse of the LINAC(Linear Accelerator) facility in the Pohang Accelerator Laboratory. In this experiment test, we has found that a serious failure as a burn-out effect due to overcurrent on the partial electronic devices. Also we has found that a temporary error due to ionizing effect on the other electronic devices. Similar to these experimental results, the result of SPICE Simulation in NAND gate has found that the latch-up phenomena could be checked in more than 7.0×10<SUP>11</SUP>W/cm<SUP>2</SUP>.
#CMOS Integrated circuits #Gamma-ray burst #Burn-out

목차

Abstract
1. INTRODUCTION
2. SIMULATION
3. EXPERIMENTS
4. TEST RESULTS
4. TEST RESULTS
REFERENCES

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