메뉴 건너뛰기
.. 내서재 .. 알림
소속 기관/학교 인증
인증하면 논문, 학술자료 등을  무료로 열람할 수 있어요.
한국대학교, 누리자동차, 시립도서관 등 나의 기관을 확인해보세요
(국내 대학 90% 이상 구독 중)
로그인 회원가입 고객센터 ENG
주제분류

추천
검색
질문

논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
Seong-Kyun Kim (성균관대학교) Chenglin Cui (성균관대학교) Byung-Sung Kim (성균관대학교) SoYoung Kim (성균관대학교)
저널정보
대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.12 No.4
발행연도
2012.12
수록면
426 - 432 (7page)

이용수

표지
📌
연구주제
📖
연구배경
🔬
연구방법
🏆
연구결과
AI에게 요청하기
추천
검색
질문

초록· 키워드

오류제보하기
A fully-integrated low power K-band radar transceiver in 130 ㎚ CMOS process is presented. It consists of a low-noise amplifier (LNA), a downconversion mixer, a power amplifier (PA), and a frequency synthesizer with injection locked buffer for driving mixer and PA. The receiver front-end provides a conversion gain of 19 ㏈. The LNA achieves a power gain of 15 ㏈ and noise figure of 5.4 ㏈, and the PA has an output power of 9 ㏈m. The phase noise of VCO is -90 ㏈c/㎐ at 1-㎒ offset. The total dc power dissipation of the transceiver is 142 ㎽ and the size of the chip is only 1.2 × 1.4 ㎟.

목차

Abstract
Ⅰ. INTRODUCTION
Ⅱ. TRANSCEIVER DESIGN
Ⅲ. EXPERIMENTAL RESULTS
Ⅳ. CONCLUSIONS
ACKNOWLEDGMENTS
REFERENCES

참고문헌 (13)

참고문헌 신청

이 논문의 저자 정보

이 논문과 함께 이용한 논문

최근 본 자료

전체보기

댓글(0)

0

UCI(KEPA) : I410-ECN-0101-2014-569-000667813