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이용수
Abstract
I. Introduction
II. Results and discussion
III. Conclusions
References
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SILC 특성에 의한 실리콘 산화막의 신뢰성 연구
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The Characteristics of Trap in Silicon Oxide with Nano Scale Structure
ITC-CSCC :International Technical Conference on Circuits Systems, Computers and Communications
2002 .07
초박막의 N2O 어닐링한 터널링 산화막을 갖는 Flash Memory Cell의 SILC 특성 및 성능 ( Performance and SILC Characteristics of Flash Memory Cell With Ultra thin N2O Annealed Tunneling Oxide )
전자공학회논문지-D
1999 .10
The Stress Induced Leakage Currents in the Silicon Oxides for SoC
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2004 .06
IT-SoC
TTA 저널
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개선된 SoC에 관한 연구
대한전자공학회 학술대회
2016 .11
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1999 .03
GIDL과 SILC가 DRAM refresh 회로의 성능저하에 미치는 영향 ( The effect of GIDL and SILC on the performance degradation of the refresh circuit in DRAM )
대한전자공학회 학술대회
1998 .07
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1998 .06
박막 게이트 산화막을 갖는 n-MOSFET에서 SILC 및 Soft Breakdown 열화동안 나타나는 결함 생성
전자공학회논문지-SD
2004 .08
GIDL과 SILC를 고려한 DRAM refresh 회로의 설계가이드 라인 ( The effect of GIDL and SILC on the design guideline of the refresh circuit in DRAM )
한국통신학회논문지
1999 .12
System C를 이용한 SOC 설계 방법
대한전자공학회 학술대회
2000 .06
IT SoC Network
IT SOC magazine
2009 .01
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2006 .01
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2006 .01
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