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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
Kwang-Soon Ahn (영남대학교)
저널정보
한국청정기술학회 청정기술 청정기술 제15권 제3호
발행연도
2009.9
수록면
202 - 209 (8page)

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질소 도핑된 WO₃ (WO₃:N) 막을 반응성 RF 마그네트론 스퍼터링을 이용하여 상온에서 증착한 다음, 300℃에서부터 500℃의 온도 구간에서 후열처리(post-annealing)하였다. WO₃ 내 질소 음이온은 O 2p valence state와의 mixing effect에 의해 광학적 밴드갭을 줄임으로써 장파장 영역의 빛을 흡수할 수 있었다. 더욱이 350℃ 이상의 후열처리에 의해 WO₃:N의 결정성이 크게 향상됨을 발견하였으며, 동일 온도에서 열처리된 순수한 WO₃ 막보다 광전기화학 특성이 휠씬 우수한 셀 성능을 가짐을 알 수 있었다.

목차

요약
Abstract
1. Introduction
2. Experimental
3. Results and Discussions
4. Conclusions
Acknowledgement
References

참고문헌 (26)

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