메뉴 건너뛰기
.. 내서재 .. 알림
소속 기관/학교 인증
인증하면 논문, 학술자료 등을  무료로 열람할 수 있어요.
한국대학교, 누리자동차, 시립도서관 등 나의 기관을 확인해보세요
(국내 대학 90% 이상 구독 중)
로그인 회원가입 고객센터 ENG
주제분류

추천
검색
질문

논문 기본 정보

자료유형
학술대회자료
저자정보
J. T. Gudmundsson (Shanghai Jiao Tong University)
저널정보
한국표면공학회 한국표면공학회 학술발표회 초록집 한국표면공학회 2012년도 춘계학술발표회 및 논문집
발행연도
2012.5
수록면
3 - 35 (33page)

이용수

표지
📌
연구주제
📖
연구배경
🔬
연구방법
🏆
연구결과
AI에게 요청하기
추천
검색
질문

초록· 키워드

오류제보하기
The high power impulse magnetron sputtering (HiPIMS) discharge is a recent addition to plasma based sputtering technology. In HiPIMS, high power is applied to the magnetron target in unipolar pulses at low duty cycle and low repetition frequency while keeping the average power about 2 orders of magnitude lower than the peak power [1]. This results in a high plasma density, and high ionization fraction of the sputtered vapor, which allows better control of the film growth by controlling the energy and direction of the deposition species. This is a significant advantage over conventional dc magnetron sputtering where the sputtered vapor consists mainly of neutral species. The HiPIMS discharge is now an established ionized physical vapor deposition technique [2,3], which is easily scalable and has been successfully introduced into various industrial applications. An overview of the development of the HiPIMS discharge and the underlying mechanisms that dictate the discharge properties is given. The development and properties of the high power pulsed power supply will be discussed, followed by an overview of the measured plasma parameters in the HiPIMS discharge, the electron energy and density, the ion energy, ion flux and plasma composition, and a discussion on the deposition rate. Then a brief overview of the benefits and applications of the HIPIMS technique is given.

목차

등록된 정보가 없습니다.

참고문헌 (0)

참고문헌 신청

이 논문의 저자 정보

이 논문과 함께 이용한 논문

최근 본 자료

전체보기

댓글(0)

0

UCI(KEPA) : I410-ECN-0101-2013-581-002643220