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Jae Sung Lee (경북대학교) Seongjae Cho (Stanford University) Byung-Gook Park (서울대학교) James S. Harris (Stanford University) In Man Kang (경북대학교)
저널정보
대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.12 No.2
발행연도
2012.6
수록면
230 - 239 (10page)

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In this paper, we present the radiofrequency (RF) modeling for gate-all-around (GAA) junctionless (JL) MOSFETs with 30-㎚ channel length. The presented non-quasi-static (NQS) model has included the gate-bias-dependent components of the source and drain (S/D) resistances. RF characteristics of GAA junctionless MOSFETs have been obtained by 3-dimensional (3D) device simulation up to 1 ㎔. The modeling results were verified under bias conditions of linear region (VGS = 1 V, VDS = 0.5 V) and saturation region (VGS = VDS = 1 V). Under these conditions, the root-mean-square (RMS) modeling error of Y₂₂-parameters was calculated to be below 2.4%, which was reduced from a previous NQS modeling error of 10.2%.

목차

Abstract
Ⅰ. INTRODUCTION
Ⅱ. SIMULATION AND SMALL-SIGNAL MODELING
Ⅲ. CONCLUSIONS
ACKNOWLEDGMENTS
REFERENCES

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