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Radu Secareanu (Freescale Semiconductor, Inc.) Olin Hartin (Freescale Semiconductor, Inc.) Jim Feddeler (Freescale Semiconductor, Inc.) Richard Moseley (Freescale Semiconductor, Inc.) John Shepherd (Freescale Semiconductor, Inc.) Bertrand Vrignon (Freescale Semiconductor, Inc.) Jian Yang (Freescale Semiconductor, Inc.) Qiang Li (Freescale Semiconductor, Inc.) Hongwei Zhao (Freescale Semiconductor, Inc.) Waley Li (Freescale Semiconductor, Inc.) Linpeng Wei (Freescale Semiconductor, Inc.) Emre Salman (Freescale Semiconductor, Inc.) Richard Wang (Freescale Semiconductor, Inc.) Dan Blomberg (Freescale Semiconductor, Inc.) Patrice Parris (Freescale Semiconductor, Inc.)
저널정보
대한전자공학회 대한전자공학회 ISOCC ISOCC 2010 Conference
발행연도
2010.11
수록면
21 - 24 (4page)

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External stresses, such as those generated due to Electrical Fast Transient (EFT) events, generate over-voltages which may result in reliability failures at the IClev el either in the form of recoverable or permanent damage of the IC. In the present paper, the relationship between the technology characteristics within a design framework and the permanent failures that such an EFT event can produce are discussed. Solutions to minimize the impact of such EFT events are presented.

목차

Abstract
Ⅰ. INTRODUCTION
Ⅱ. SYNOPSIS
Ⅲ. DISCUSSIONS AND RESULTS
Ⅳ. CONCLUSIONS
REFERENCES

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