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논문 기본 정보

자료유형
학술대회자료
저자정보
Hailong Jiao (The Hong Kong University) Volkan Kursun (The Hong Kong University)
저널정보
대한전자공학회 대한전자공학회 ISOCC ISOCC 2010 Conference
발행연도
2010.11
수록면
9 - 12 (4page)

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Forward body bias is an effective technique for reducing mode transition noise and area overhead associated with Multi-threshold CMOS (MTCMOS) circuits. In this paper, the principal mechanism of noise reduction and silicon area compaction in forward-body-biased MTCMOS circuits is revealed and discussed in detail. Tradeoffs between area and leakage power consumption in forward-body-biased MTCMOS circuits are evaluated. Design guidelines are provided for optimum sizing of noise-control transistor and appropriate
selection of body bias voltage to fully utilize the benefits of the forward body bias technique.

목차

Abstract
Ⅰ. INTRODUCTION
Ⅱ. TRI-MODE MTCMOS TECHNIQUE
Ⅲ. NOISE SUPPRESSION AND PARKER SIZE COMPACTION WITH FORWARD BODY BIAS
Ⅳ. FURTHER COMPACTION OF PARKER WITH EQUI-NOISE CONSTRAINT
Ⅴ. CONCLUSIONS
REFERENCES

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