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저자정보
X.S. Loo (Nanyang Technological University) K.S. Yeo (Nanyang Technological University) K.W.J. Chew (Nanyang Technological University) L.H.K. Chan (Nanyang Technological University) S.N. Ong (Nanyang Technological University) M.A. Do (Nanyang Technological University) C.C. Boon (Nanyang Technological University)
저널정보
대한전자공학회 대한전자공학회 ISOCC ISOCC 2009 Conference
발행연도
2009.11
수록면
29 - 32 (4page)

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A novel de-embedding technique based on general fixture model is proposed to accurately de-embed the test fixture parasitic for characterization of RF CMOS at high frequency. The method is able to avoid over-de-embedding errors that exist in conventional techniques by utilizing three Thru structures of zero length and one Open dummy test structures for accurate extraction of fixture parasitic. The de-embedding result is verified with Thru line replaced as intrinsic device and has been shown matching closer to the actual intrinsic Thru line than other compared techniques for frequency of up to 50 GHz.
#De-embedding #Fixture parasitic #High frequency characterization #RF CMOS #Scattering parameters

목차

Abstract
I. INTRODUCTION
II. DE-EMBEDDING METHODOLOGY
III. RESULTS AND DISCUSSIONS
IV. CONCLUSION
ACKNOWLEDGMENT
REFERENCES

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