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저자정보
박제준 (충남대학교 대학원) 김진국 (충북대학교 대학원) 이희덕 (충남대학교 대학원) 강기환 (한국에너지기술연구원) 유권종 (한국에너지기술연구원) 송희은 (한국에너지기술연구원)
저널정보
한국태양에너지학회 한국태양에너지학회 학술대회논문집 한국태양에너지학회 2011년도 추계학술발표대회 논문집
발행연도
2011.11
수록면
154 - 157 (4page)

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Hydrogenated silicon nitride deposited by LF-PECVD is commonly used for anti-reflection coating and passivation in silicon solar cell fabrication. The deposition of the optimized silicon nitride on the surface is elemental in crystalline silicon solar cell. In this work, the carrier lifetimes were measured while the thicknesses of SiNx were changed from 700Å to 1150Å with the gasflow of SiH<SUB>4</SUB> as 40 sccm andNH<SUB>3</SUB> as 120 sccm,. The carrier lifetime enhanced as the thickness of SiNx increased due to improve dpassivation effect. To study the characteristics of SiNx with various gas ratios, the gas flow of NH<SUB>3</SUB> was changed from 40 sccm to 200 sccm with intervals of 40 sccm. The thickness of SiNx was fixed as1000Å and the gasflow ofSiH<SUB>4</SUB> as 40 sccm.The refractive index of SiNx and the carrier lifetime were measured before and after heat treating at 650°C to investigate their change by thefiring process in solar cell fabrication. The index of refraction of SiNx decreased as the gas ratios increased and the longest carrier lifetime was measured with the gas ratio NH<SUB>3</SUB>/SiH<SUB>4</SUB>of 3.
#반송자 수명(Carrier lifetime) #반사방지막(Anti-reflection coating) #실리콘질화막(SiNx) #태양전지(Silicon solar cell) #PECVD (plasma-enhanced chemical vapor deposition)

목차

Abstract
1. 서론
2. 실험
3. 결과 및 고찰
4. 결론
참고문헌

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