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논문 기본 정보

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학술저널
저자정보
尹度鉉 (LG전자) 金弘植 (연세대학교) 姜成昊 (연세대학교)
저널정보
대한전자공학회 전자공학회논문지-SD 電子工學會論文誌 第37卷 SD編 第12號
발행연도
2000.12
수록면
50 - 59 (10page)

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본 논문에서는 고집적 SRAM의 다양한 고장을 검출하기 위하여 동적 전원 공급 전류를 관찰하는 방법을 이용하였다. 다양한 고장을 가정하여 고장이 없는 경우와 고장이 발생한 경우 transition write시의 Iddt 펄스의 크기가 크게 다른 것을 이용하여 쓰기 동작만으로 구성된 메모리 테스트 알고리듬을 개발하였다. 새로운 알고리듬은 기존의 March B 알고리듬에 비해서 7/17의 짧은 길이를 가지고도 더 많은 잠재적인 고장을 검출할 수 있다.

목차

요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. SRAM 셀의 전류 특성
Ⅲ. 셀 내부의 고장
Ⅳ. 셀과 셀간의 결합 고장
Ⅴ. 동적 전원 공급 전류를 이용한 테스트 알고리듬
Ⅵ. 전류 감지기 설계 및 시뮬레이션
Ⅶ. 결론
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