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저자정보
Sanchai Harnsoongnoen (Khon Kaen University) Chiranut Sa-ngiamsak (Khon Kaen University)
저널정보
대한전자공학회 ITC-CSCC :International Technical Conference on Circuits Systems, Computers and Communications ITC-CSCC : 2009
발행연도
2009.7
수록면
847 - 850 (4page)

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Phase Change Memory (PCM) is an attractive nonvolatile memory technology which bears a large potential to become the unified solution for the miscellaneous demands of the future memory market. Lowering the large current requirement during reset operation is one of the most critical issues of future PCM technology. In this paper reports on the confined-chalcogenide based double heat phase change memory with metal oxide capping (CCPCMDHMOC) with the operating current less than 0.5㎃-30㎱. This cell offers a low reset current with simple architecture and fabrication. Thermal and heat flux distribution of both the confined-chalcogenide based single heater phase change memory with metal oxide capping (CCPCM-SHMOC) and a proposed CCPCM-DHMOC cells were carefully analyzed and simulated by using finite element modeling based on electrothermal physics. It is intriguingly found that the reset current of the proposed cell is significantly reduced with double heater. Furthermore, the melting shapes and effect of quench speed on the memory cell is also discussed.
#Confined-Chalcogenide #Double-Heater #Phase Change Memory #And Metal Oxide Capped

목차

Abstract
1. Introduction
2. Principle and modeling
3. PCM Cell Structure and Optimization
4. Simulation Results and Discussions
5. Conclusions
Acknowledgments
References

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UCI(KEPA) : I410-ECN-0101-2012-569-004021924