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논문 기본 정보
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- 저자정보
- 저널정보
- 대한전자공학회 ITC-CSCC :International Technical Conference on Circuits Systems, Computers and Communications ITC-CSCC : 2009
- 발행연도
- 2009.7
- 수록면
- 453 - 456 (4page)
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This paper presents a high power three-way Doherty amplifier for 2.345 ㎓ wireless broadband (WiBro) applications using Nitronex 125-W (P<SUB>3㏈</SUB>) gallium nitride (GaN) high electron mobility transistor (HEMT). The main and two peaking amplifiers are symmetrical structure and biased as class AB and class C, respectively, so that the output power and the drain efficiency of the amplifier are satisfied at the highly back-off region for WiBro signal, which has a peak-to-average ratio of about 9.5 ㏈ at 0.01 % for the probability on CCDF. From the measurement results for a center frequency of 2.345 ㎓, the proposed three-way Doherty amplifier attains a high P<SUB>3㏈</SUB> of 53.16 ㏈m, a gain of 10.3 ㏈ and a power-added efficiency (PAE) improvement of about 11 % and 23 % compared to a conventional Doherty amplifier and a single class AB amplifier respectively at 9-㏈ back-off power region from P<SUB>3㏈</SUB>.
목차
Abstract
1. Introduction
2. Theory of N-way Doherty amplifier
3. Design & fabrication of high power three-way Doherty amplifier for WiBro application
4. Conclusion
Acknowledgment
References
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