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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 저널정보
- 대한전자공학회 ICEIC : International Conference on Electronics, Informations and Communications ICEIC : 2010
- 발행연도
- 2010.6
- 수록면
- 68 - 69 (2page)
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A CMOS front-end with wide variable gain and low power consumption for 5.25 ㎓ band has been designed and simulated with the TSMC 0.18 ㎛ CMOS technology. To obtain wide variable gain range, a p-MOSFET is connected in a shunt configuration for the low noise amplifier (LNA) section. For a mixer, a single balanced and folded structure is employed for the low power consumption. The bias currents of the transc ... 전체 초록 보기
목차
Abstract
Ⅰ. Introduction
Ⅱ. RF Receiver Front-end with Low Power Consumption and Wide Variable Gain
Ⅲ. Simulation Results
Ⅳ. Conclusions
Acknowledgments
References
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