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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2010.12
- 수록면
- 965 - 970 (6page)
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한 셀에 2비트를 저장하는 낸드 플래시 메모리에서는 한 셀에 저장되는 전압의 양을 4-레벨로 나누어 데이터를 구분한다. 이 4-레벨을 낮은 전압부터 각각 E, P1, P2, P3라고 할 때, 인접한 두 셀이 각각 E와 P3 레벨로 저장하게 되면, 통계적으로 이 부분에서 많은 데이터의 오류가 발생한다. 따라서 본 논문에서는 인접한 두 셀의 값이 E와 P3의 패턴이 연속해서 나오지 않게 하는 부호화 방법을 통하여 연속된 셀에서 E와 P3가 붙어 나오는 패턴을 제거한다. 본 논문에서는 5심볼과 6심볼의 코드워드일 때의 부호/복호 방법을 소개한다. 5심볼을 만드는 부호화 방법은 입력 데이터가 9비트이며, 패리티는 1비트이고 부호율은 0.9 (9/10) 이다. 또한, 6심볼을 만드는 부호화 방법은 입력 데이터가 11비트 이며, 패리티는 1비트이며, 부호율은 0.916 (11/12) 이다.
목차
요약
ABSTRACT
Ⅰ. 서론
Ⅱ. k/k+1 E-P3 혹은 P3-E 패턴 제거 부호
Ⅲ. 결론
참고문헌
참고문헌 (10)
참고문헌 신청
1. [학술지(정기간행물)] - T. Tanzawa / 1997 / A compact on-chip ECC for low cost Flash Memories / IEEE Journal of Solid-State Circuits 32 (5) : 662 ~ 669
2. [학술지(정기간행물)] - B. Polianskikh / 2001 / Induced errorcorrecting code for 2bit-per-cell multi-level DRAM / Proceeding of the 44th IEEE 2001 Midwest Symposium on Circuits and Systems 2 : 352 ~ 355
3. [학술지(정기간행물)] - R. Bez / 2003 / Introduction to flash memory / Proceeding of the IEEE 91 (4) : 489 ~ 502
4. [학술지(정기간행물)] - K. Takeuchi / 2000 / A source-line programming scheme for low-voltage operation NAND flash memories / IEEE Journal of Solid-State Circuits 35 (5) : 672 ~ 681
5. [학술대회논문] - S. Satoh / 1998 / A novel channel boost capacitance (CBC) cell technology with low program disturbance suitable for fast programming 4 Gbit NAND flash memories / Symposium on VLSI Technology Digest of Technical Papers : 108 ~ 109
2. [학술지(정기간행물)] - B. Polianskikh / 2001 / Induced errorcorrecting code for 2bit-per-cell multi-level DRAM / Proceeding of the 44th IEEE 2001 Midwest Symposium on Circuits and Systems 2 : 352 ~ 355
3. [학술지(정기간행물)] - R. Bez / 2003 / Introduction to flash memory / Proceeding of the IEEE 91 (4) : 489 ~ 502
4. [학술지(정기간행물)] - K. Takeuchi / 2000 / A source-line programming scheme for low-voltage operation NAND flash memories / IEEE Journal of Solid-State Circuits 35 (5) : 672 ~ 681
5. [학술대회논문] - S. Satoh / 1998 / A novel channel boost capacitance (CBC) cell technology with low program disturbance suitable for fast programming 4 Gbit NAND flash memories / Symposium on VLSI Technology Digest of Technical Papers : 108 ~ 109
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