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김병기 (성균관대학교) 하정래 (성균관대학교) 이준상 (성균관대학교) 배현주 (성균관대학교) 권종화 (한국전자통신연구원) 나완수 (성균관대학교)
저널정보
한국전자파학회 한국전자파학회논문지 韓國電磁波學會論文誌 第21卷 第7號
발행연도
2010.7
수록면
786 - 795 (10page)

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본 논문에서는 EBG(Electromagnetic Band Gap) 구조에 존재하는 두 단위 셀을 신호 전달 평면상의 브릿지 라인으로 연결하는 새로운 형태의 EBG 구조를 제안하였다. 이와 같은 구조를 갖는 EBG는 단위 셀을 연결하는 비아 홀과 브릿지 라인으로 인해 전원면에서 SSN(Simultaneous Switching Noise)를 효과적으로 차단하였으며, 또한 신호 평면상에서 존재하는 신호선들 사이에서는 우수한 신호 전달 특성을 보였다. 제안된 구조의 EBG는 특정 사이즈에서 차단 주파수 1.2 ㎓, 저지 대역폭은 8.3 ㎓로 넓은 주파수 대역에서 －30 ㏈ 이하의 저지 대역특성을 나타내었다. 또한 광대역의 저지 대역폭을 유지하면서 신호 평면상에 위치한 신호선이 우수한 신호 전달특성을 가질 수 있는 전원면/접지면의 위치를 최종적으로 제안하였다.
#Electromagnetic Bandgap(EBG) #Simultaneous Switching Noise(SSN) #Signal Integrity(SI)

목차

요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 비아 홀과 브릿지 라인을 이용한 EBG 구조
Ⅲ. 신호 전달을 고려한 EBG 구조
Ⅳ. 결론
참고문헌

참고문헌 (9)

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1. [단행본] - Madhavan Swaminathan / 2007 / Power In-tegrity Modeling and Design for Semiconductors and System / Prentice Hall google schola 2. [단행본] - David M.Pozar / 2005 / Microwave Engineering / John Wiley and Sons, Inc google schola 3. [단행본] - Stephen H. Hall / 2000 / High-speed Digital System Design / John Wiley & Sons, Inc google schola 4. [단행본] - R. Senthintan / 1994 / Simultaneous Switching Noise of CMOS Devices and Systems / Kluwer google schola 5. [학술지(정기간행물)] - Jongbae Park / 2006 / Modeling and measurement of simultaneous switching noise coupling through signal via transition / IEEE Trans.Advanced Packaging 29 : 548 ~ 559 google schola

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