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논문 기본 정보

자료유형
학술대회자료
저자정보
홍슬기 (한국과학기술원) 조병진 (한국과학기술원)
저널정보
대한전자공학회 대한전자공학회 학술대회 대한전자공학회 2010년 하계종합학술대회
발행연도
2010.6
수록면
696 - 698 (3page)

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2010

그라핀 옥사이드를 이용한 비휘발성 플렉서블 저항메모리
홍슬기 ,  조병진 대한전자공학회 학술대회 2010.06 학술대회자료
그라핀 옥사이드를 이용한 비휘발성 플렉서블 저항메모리
홍슬기 ,  조병진 대한전자공학회 학술대회 2010.06 학술대회자료

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A ReRAM (Resistive switching memory) device using graphene oxide (GO) is demonstrated. It is found that GO layer between two electrodes shows current path at low resistive state when voltage app ... 전체 초록 보기

목차

Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 본론
Ⅲ. 결론 및 향후 연구 방향
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