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김용진 (서울대학교) 박상근 (서울대학교) 김선재 (서울대학교) 이정수 (서울대학교) 김창연 (서울대학교) 한민구 (서울대학교)
저널정보
대한전기학회 대한전기학회 학술대회 논문집 2009 대한전기학회 제40회 하계학술대회
발행연도
2009.7
수록면
1,238 - 1,239 (2page)

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본 논문에서는 ELA poly-Si TFT보다 뛰어난 균일도를 갖고, a-Si:H TFT보다 전기적 안정도가 우수한 PMOS SPC-Si TFT의 특성을 연구하였다. SPC-Si의 계면 특성을 향상시키기 위해 SiO₂ 게이트 절연막을 증착하기 전에 Solid Phase Crystalline 실리콘(SPC-Si) 채널 영역에 다양한 H2 플라즈마 처리를 해주었다. PECVD를 이용하여 100W에서 H2 플라즈마 처리를 5분 해주었을 때 SPC-Si TFT의 전기적 특성이 향상되는 것을 볼 수 있는데, VTH가 약 -3.91V, field effect mo ... 전체 초록 보기

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