지원사업
학술연구/단체지원/교육 등 연구자 활동을 지속하도록 DBpia가 지원하고 있어요.
커뮤니티
연구자들이 자신의 연구와 전문성을 널리 알리고, 새로운 협력의 기회를 만들 수 있는 네트워킹 공간이에요.
논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2010.3
- 수록면
- 1 - 6 (6page)
이용수
초록· 키워드
오류제보하기
Saddle MOSFET의 모서리의 효과에 대한 고전역학과 양자역학적 시뮬레이션의 비교분석을 3차원 수치 시뮬레이터를 사용하여 수행하였다. 비교분석 결과 양자역학적 시뮬레이션에서는 실리콘 핀의 단면에서의 정확한 최대 전자 밀도의 위치와 크기를 제공함으로써 소자의 정확한 설명을 제공하는 것을 보여 주었고, 이를 이용하여 모서리 효과 및 그것이 소자의 문턱전압의 특성을 미치는 영향의 정확한 분석이 실행되었다. 또한, 모서리 효과를 억제하기 위해서 실리콘 핀의 모서리를 둥글게 하거나 구석의 바디도핑을 낮추는 두 가지 가능한 기법을 제시했다.
목차
요약
Abstract
Ⅰ. Introduction
Ⅱ. Device Structure and Simulations
Ⅲ. Results and Discussion
Ⅳ. Conclusion
References (참고문헌)
저자소개
참고문헌 (6)
참고문헌 신청
1. [학술대회논문] - S.W.Chung,,S.A.Jang,M.S.Yoo,K.O.Kim,C.O.Chung,S.Y.Cho,H.J.Cho,L.H.Lee,S.H.Hwang,J.S.Kim,B.H.Lee,H.G.Yoon,H.S.Park,S.J.Baek,Y.S.Cho,N.J.Kwak,H.C.Sohn,S.C.Moon,K.D.Yoo,J.G.Jeong,J.W.Kim,S.J.Hong,and S.W.Park / 2006 / Highly scalable saddle-fin (S-Fin) transistor for sub 50 nm DRAM technology / in VLSI Symp. Tech. Dig : 147 ~ 148
2. [학술대회논문] - W.Xiong / 2003 / Corner effect in multiple-gate SOI MOSFETs / SOI Conference : 111 ~
3. [기타자료] - B.Doyle / 2003 / Tri-gate fully depleted CMOS transistors: Fabrication, design and layout / VLSI Technology : 133 ~
4. [기타자료] - / 2007 / Sentaurus Device User Guide version A-2007.12
5. [학술지(정기간행물)] - G.Paasch / 1982 / A Modified Local Density Approximation: Electron Density in Inversion Layers / Physica Status Solidi 113 (1) : 165 ~ 178
2. [학술대회논문] - W.Xiong / 2003 / Corner effect in multiple-gate SOI MOSFETs / SOI Conference : 111 ~
3. [기타자료] - B.Doyle / 2003 / Tri-gate fully depleted CMOS transistors: Fabrication, design and layout / VLSI Technology : 133 ~
4. [기타자료] - / 2007 / Sentaurus Device User Guide version A-2007.12
5. [학술지(정기간행물)] - G.Paasch / 1982 / A Modified Local Density Approximation: Electron Density in Inversion Layers / Physica Status Solidi 113 (1) : 165 ~ 178
함께 읽어보면 좋을 논문
논문 유사도에 따라 DBpia 가 추천하는 논문입니다. 함께 보면 좋을 연관 논문을 확인해보세요!
-
전력 MOSFET 소자의 γ선 영향
제어로봇시스템학회 각 지부별 자료집
2004 .11
-
간판의 크기 산정을 위한 정확한 모서리 추출기법
대한공간정보학회 학술대회
2020 .06
-
Three-dimensional vortex structure near a corner of a translating plate
한국가시화정보학회지
2015 .04
-
모서리 공구경로에서의 윤곽정확도 향상에 관한 연구
한국정밀공학회 학술발표대회 논문집
2009 .10
-
전력 MOSFET
전기의세계
1985 .05
-
한반도 및 주변지역 지진 모서리 주파수의 거리 종속성
한국지진공학회 논문집
2008 .01
-
TCAD 시뮬레이션을 이용한 Fin형 SONOS Flash Memory의 모서리 효과에 관한 연구
전기전자재료학회논문지
2012 .01
-
Simulation of Quantum Effects in the Nano-scale Semiconductor Device
JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE
2004 .03
-
이동 물체의 CORNER 검출 ( Detecting corner of moving object )
한국통신학회 학술대회논문집
1988 .01
-
접촉모서리의 최소 반지름 설계 방법
한국트라이볼로지학회 학술대회
2015 .10
-
단 채널 MOSFET의 문턱전압 모델링과 수치계산 ( A Modeling and Numerical Simulation of Threshold Voltage for Short Channel MOSFET )
한국통신학회논문지
1990 .01
-
Si1-xGex p-MOSFET 단채널효과의 해석학적 모델
대한전자공학회 학술대회
1995 .12
-
건물 외피 모서리의 열성능 측정방법 개발 및 정확성 평가에 관한 연구 ( A Study on Development and Assesment of Accuracy of Measurement Methods of Thermal Performance of Corner in Building Envelopes )
대한건축학회 논문집
1994 .03
-
복합소재를 이용한 항만구조물 모서리 보호공 개발
대한토목학회 학술발표회 논문집
2000 .10
-
고층 건축물의 모서리 형상 변화에 따른 풍진동 저감효과에 관한 연구 ( A Study on the Reduced Effect of Wind Induced Vibration with the Corner Modification of Tall Buildings )
대한건축학회 논문집 - 구조계
2001 .07
-
나노채널 MOSFET의 문턱전압분석
한국정보통신학회논문지
2002 .02
-
이온 주입한 MOSFET에 대한 Threshold 전압의 모델링 MOSFET의 제작 및 평가 ( Threshold Voltage Modeling of Ion-Implanted MOSFET`s )
대한전자공학회 학술대회
1984 .01
-
소자 크기가 고정된 전력 MOSFET의 최적화
전기학회논문지
1997 .04
-
SOI MOSFET 의 단채널 효과를 고려한 문턱전압과 I - V 특성연구 ( A Study on Threshold Voltage I - V Characteristics by considering the Short - Channel Effect of SOL MOSFET )
전자공학회논문지-A
1994 .08
-
실리콘 전력 MOSFET의 온도에 따른 항복전압 및 On 저항
전기학회논문지 C
2000 .04
이 논문의 저자 정보
최근 본 자료
댓글(0)
0
UCI(KEPA) : I410-ECN-0101-2010-569-002143014