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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2009.12
- 수록면
- 24 - 29 (6page)
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0.18㎛ deep n-well 벌크 NMOSFET에서 측정된 차단주파수 f<SUB>T</SUB>의 고온종속성을 모델화하기 위해, 측정된 S-파라미터를 사용한 정확한 RF 방법으로 30℃에서 250℃까지 전자속도 고온 데이터가 추출되었다. 이러한 추출데이터를 사용하여 개선된 온도종속 전자속도 방정식이 높은 온도의 범위에서 생기는 기존 방정식의 모델링 오차를 없애기 위해 개발되었으며 BSIM3v3 SPICE RF 모델에 구현되었다. 개선된 온도 종속 방정식은 기존 모델보다 30℃에서 250℃까지 측정된 f<SUB>T</SUB>와 더 잘 일치하였으며, 이는 개선된 방정식의 정확성을 입증한다.
목차
요약
Abstract
Ⅰ. INTRODUCTION
Ⅱ. PARAMETER EXTRACTION
Ⅲ. SPICE MODELING
Ⅳ. CONCLUSIONS
참고문헌
저자소개
참고문헌 (11)
참고문헌 신청
1. [학술대회논문] - N. Camilleri / 1993 / Silicon MOSFET’s the Microwave device technology for the 90s / IEEE MTT-S Int. Microwave Symp.Dig. : 545 ~ 548
2. [학술대회논문] - M. Emam / 2009 / High temperature DC and RF behavior of partially-depleted SOI versus deep n-well protected bulk MOSFETs / in Proc. IEEE T opical Meeting on Silicon Monolithic Integrated Circuits in RF Systems : 1 ~ 4
3. [학술대회논문] - D. Jung / 2008 / High Temperature Data Extraction of Carrier Velocity in MOSFETs Using a RF Measurement Method / in Proc. International Workshop on Next Generation Electronics : 7 ~ 8
4. [학술대회논문] - D. Jung / 2009 / High Temperature Modeling of Electron Velocity in MOSFETs Using RF Measurement Data / The 16th Korean Conference on Semiconductors : 200 ~ 201
5. [기타자료] - U. C. Berkely / 1996 / BSIM3v3 Manual
2. [학술대회논문] - M. Emam / 2009 / High temperature DC and RF behavior of partially-depleted SOI versus deep n-well protected bulk MOSFETs / in Proc. IEEE T opical Meeting on Silicon Monolithic Integrated Circuits in RF Systems : 1 ~ 4
3. [학술대회논문] - D. Jung / 2008 / High Temperature Data Extraction of Carrier Velocity in MOSFETs Using a RF Measurement Method / in Proc. International Workshop on Next Generation Electronics : 7 ~ 8
4. [학술대회논문] - D. Jung / 2009 / High Temperature Modeling of Electron Velocity in MOSFETs Using RF Measurement Data / The 16th Korean Conference on Semiconductors : 200 ~ 201
5. [기타자료] - U. C. Berkely / 1996 / BSIM3v3 Manual
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