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曺星穆 (한국전자통신연구원) 梁佑碩 (한국전자통신연구원) 柳浩駿 (한국전자통신연구원) 田尙勳 (한국전자통신연구원) 兪炳坤 (한국전자통신연구원) 崔昌億 (한국전자통신연구원)
저널정보
대한전기학회 전기학회논문지 전기학회논문지 제56권 제8호
발행연도
2007.8
수록면
1,461 - 1,465 (5page)

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A micromachined sensor part for an infrared focal plane array has been designed and fabricated. Amorphous silicon was adapted as a sensing material, and silicon nitride was used as a membrane material. To get a good efficiency of infrared absorption, the sensor was made as a λ/4 cavity structure. All the processes were done in 0.5 ㎛ iMEMS fab. in the Electronics and Telecommunication Research Institute (ETRI). The processed MEMS sensor structure had a small membrane deflection less than 0.3 ㎛. This excellent deflection property can be attributed to the rigorous balancing of the stresses of individual layers. The efficiency of infrared absorption was more than 75% in the wavelength range 8 - 14 ㎛.
#Infrared #Sensor #MEMS

목차

Abstract
1. 서론
2. 센서 구조체 설계
3. 센서 구조체 공정
4. 특성 분석
5. 결론
감사의 글
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저자소개

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