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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 대한전기학회 KIEE International Transactions on Electrophysics and Applications KIEE INTERNATIONAL TRANSACTIONS ON ELECTROPHYSICS and APPLICATION Vol.11C No.4
- 발행연도
- 2001.12
- 수록면
- 99 - 106 (8page)
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목차
Abstract
1. Introduction
2. SIT Device Physics
3. Performance of SiC SIT Structures
4. Results and Discussion
5. Conclusions
Acknowledgments
References
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