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Transparent ZnO thin films were prepared by KrF pulsed laser deposition (PLD) technique and applied to a bottom-gate type thin film transistor device as an active channel layer. A high conductive crystalline Si substrate was used as an metal-like bottom gate and SiN insulating layer was then deposited by LPCVD(low pressure chemical vapour deposition). An aluminum layer was then vacuum evaporated and patterned to form a source/drain metal contact. Oxygen partial pressure and substrate temperature were varied during the ZnO PLD deposition process and their influence on the thin film properties were investigated by X-ray diffraction(XRD) and Hall-van der Pauw method. Optical transparency of the ZnO thin film was analyzed by UV-visible photometer. The resulting ZnO-TFT devices showed an on-off ration of 10? and field effect mobility of 2.4－6.1 ㎠/Vㆍs.
목차
Abstract
1. 서론
2. 본론
3. 결론
감사의 글
참고문헌
참고문헌 (10)
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[학술지(정기간행물)] - S. Zafar, / 1995 / Characterization and Analysis of ZnO Al deposited by Reactive Magnetron Sputtering A13 (4) : 2177 ~ 2182
[학술지(정기간행물)] - Dengyuan Song / 2002 / Structure and Characteristics of ZnO Al-nSi Heterojunctions prepared by Magnetron Sputtering 422 : 180 ~ 185
[학술지(정기간행물)] - Tamiko Ohshima, / 2003 / Synthesis of p-Type ZnO Thin Films using Co-doping Techniques based on KrF Excimer Laser Deposition 435 : 49 ~ 55
[학술지(정기간행물)] - D.M. Bagnall / 1997 / Optically-pumped Lasing using ZnO at Room Temperature 70 (17) : 2230 ~ 2232
[학술지(정기간행물)] - L. Znaidi / 2003 / Tailoring of Room Temperature Excitonic Luminescence in Sol-Gel Zinc-Oxide Silica Nanocomposite Films 441 : 228 ~ 237
[학술지(정기간행물)] - Dengyuan Song / 2002 / Structure and Characteristics of ZnO Al-nSi Heterojunctions prepared by Magnetron Sputtering 422 : 180 ~ 185
[학술지(정기간행물)] - Tamiko Ohshima, / 2003 / Synthesis of p-Type ZnO Thin Films using Co-doping Techniques based on KrF Excimer Laser Deposition 435 : 49 ~ 55
[학술지(정기간행물)] - D.M. Bagnall / 1997 / Optically-pumped Lasing using ZnO at Room Temperature 70 (17) : 2230 ~ 2232
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